技術(shù)編號(hào)：7127245
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及，更具體地，本發(fā)明涉及制造具有晶體管和電阻元件的半導(dǎo)體器件的方法。背景技術(shù) 在半導(dǎo)體器件中，用于模擬電路等的一種元件是多晶硅電阻元件。通常多晶硅電阻元件由用于形成柵極的多晶硅膜在形成柵極的同時(shí)形成。一般地，多晶硅電阻元件的電阻值由摻雜物的離子注入來按需調(diào)整。另一方面，在邏輯器件中，一般地，晶體管的柵極和源/漏極區(qū)域被硅化。這里，在與晶體管同時(shí)形成電阻元件時(shí)，在硅化柵極等步驟之前，進(jìn)行用二氧化硅覆蓋電阻元件的硅化阻隔，以防止硅化電阻元件。在硅化阻隔...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。