技術(shù)編號(hào)：7120959
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及微電子，尤其涉及一種改進(jìn)N型摻雜與非摻雜多晶硅柵極刻蝕后形貌差異的方法。背景技術(shù)在65nm及以下的工藝技術(shù)中，一般要求器件中多晶硅柵極由N型摻雜和非摻雜兩種多晶硅組成。由于受N型離子摻雜的影響，N型摻雜多晶硅的刻蝕速率大于非摻雜的多晶硅刻蝕速率。自動(dòng)終點(diǎn)檢測(cè)系統(tǒng)確認(rèn)多晶硅柵極刻蝕結(jié)束的依據(jù)是N型摻雜與非摻雜多晶硅、柵極全部刻蝕的完成，當(dāng)N型摻雜多晶硅由于較快的刻蝕速率提前完成刻蝕時(shí)，為進(jìn)行非摻雜多晶硅的刻蝕，等離子體并未停止轟擊，會(huì)造成N型摻雜多...
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