技術(shù)編號：7118767
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本揭示內(nèi)容大體有關(guān)于精密集成電路，且更特別的是，有利于用以形成硅穿孔的結(jié)構(gòu)及制造方法。背景技術(shù)近年來，為了增強(qiáng)電路的整體速度、性能及功能而努力穩(wěn)定地縮減現(xiàn)代超高密度集成電路的裝置特征。結(jié)果，由于大幅及持續(xù)地改善各種電子組件(例如晶體管、電容器、二極體及其類似者)的集成密度，造成半導(dǎo)體工業(yè)有巨大的增長。這些改善主要來自持久及成功地努力減少組件的關(guān)鍵尺寸(亦即，最小特征尺寸)，而直接導(dǎo)致工藝設(shè)計(jì)者能夠越來越多的組件整合于給定面積的半導(dǎo)體芯片。 集成電路設(shè)計(jì)的改...
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