技術編號：7115332
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。除其它內容之外，示例涉及金屬氧化物半導體場效應晶體管(MODFET)及其制造方法。更具體地說，示例包括多層功率MOSFET。背景技術很多分立金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)器件的布局包括管芯中的柵焊墊(pad)，柵焊墊的尺寸足夠大以容納接合線或其它連接物。因為這種尺寸要求，因此柵焊墊可能占據(jù)較小的管芯的大部分(例如，50%等)。此外，因為在很多示例中在柵焊墊下方?jīng)]有有源區(qū)，因此所需的柵焊墊尺寸會限制半導體器件中的有源區(qū)。 圖I大體示出了半導體器...
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