技術(shù)編號(hào):7109933
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用本申請(qǐng)要求2011年10月18日提交的韓國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)No. 10-2011-0106608的優(yōu)先權(quán),其全部?jī)?nèi)容通過(guò)引用合并于此。本發(fā)明的示例性實(shí)施例涉及一種,更具體而言涉及一種制造包括具有不同圖案密度的單元區(qū)和外圍電路區(qū)的非易失性存儲(chǔ)器件的方法。背景技術(shù)非易失性存儲(chǔ)器件代表一種即使供電中斷仍能保留所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器件,例如,已經(jīng)廣泛使用了 NAND型快閃存儲(chǔ)器件等。非易失性存儲(chǔ)器件包括單元區(qū)和外圍電路區(qū)。單元區(qū)包括多個(gè)存儲(chǔ)器單元以?xún)?chǔ)存數(shù)據(jù)...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。