技術(shù)編號(hào):7109578
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體裝置的制造方法和半導(dǎo)體裝置的制造系統(tǒng)。背景技術(shù)近年來(lái),對(duì)IGBT (絕緣柵雙極型晶體管)的半導(dǎo)體晶片的厚度盡心減小,以加強(qiáng)IGBT的性能并減少IGBT的成本。例如,為了加強(qiáng)IGBT的性能并減少IGBT的成本,有必要使半導(dǎo)體晶片的厚度減薄到50微米到100微米或更小的數(shù)量級(jí)上。對(duì)于裝置厚度減小的半導(dǎo)體裝置的制造方法,提出如下一種制造方法。根據(jù)該方法,在實(shí)施諸如半導(dǎo)體晶片的底面的背面磨削或硅蝕刻之類的加工直至半導(dǎo)體晶片的厚度減小到規(guī)定厚度之...
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