專利名稱：半導(dǎo)體裝置的制造方法和半導(dǎo)體裝置的制造系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體裝置的制造方法和半導(dǎo)體裝置的制造系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，對(duì)IGBT (絕緣柵雙極型晶體管)的半導(dǎo)體晶片的厚度盡心減小，以加強(qiáng)IGBT的性能并減少IGBT的成本。例如，為了加強(qiáng)IGBT的性能并減少IGBT的成本，有必要使半導(dǎo)體晶片的厚度減薄到50微米到100微米或更小的數(shù)量級(jí)上。對(duì)于裝置厚度減小的半導(dǎo)體裝置的制造方法，提出如下一種制造方法。根據(jù)該方法，在實(shí)施諸如半導(dǎo)體晶片的底面的背面磨削或硅蝕刻之類的加工直至半導(dǎo)體晶片的厚度減小到規(guī)定厚度之前，大量裝置結(jié)構(gòu)形成于半導(dǎo)體晶片的頂面上。隨后，對(duì)于形成于半導(dǎo)體晶片的頂面上的每個(gè)裝置結(jié)構(gòu)實(shí)施切割，以將半導(dǎo)體晶片切斷以分開(kāi)成各具有裝置結(jié)構(gòu)的單個(gè)半導(dǎo)體芯片。

對(duì)于裝置厚度減小的半導(dǎo)體裝置的另一制造方法，提出如下一種制造方法。根據(jù)該方法，在裝置結(jié)構(gòu)形成于半導(dǎo)體晶片的頂面上之后，在半導(dǎo)體晶片的頂面的切割線上形成凹槽，每個(gè)凹槽的深度大于例如完成后半導(dǎo)體裝置的規(guī)定厚度。然后，實(shí)施諸如半導(dǎo)體晶片的底面的背面磨削或硅蝕刻之類的加工，直至半導(dǎo)體晶片的厚度減小到規(guī)定厚度，通過(guò)這種加工，形成于半導(dǎo)體晶片的頂面上的凹槽使半導(dǎo)體晶片分開(kāi)成單個(gè)半導(dǎo)體芯片。對(duì)于裝置厚度減小的半導(dǎo)體裝置的又一制造方法，提出如下一種制造方法。根據(jù)該方法，在裝置結(jié)構(gòu)形成于半導(dǎo)體晶片的頂面上之后，實(shí)施諸如半導(dǎo)體晶片的底面的背面磨削或硅蝕刻之類的加工，以僅使半導(dǎo)體晶片的中間部分中直徑小于半導(dǎo)體晶片直徑的范圍內(nèi)變薄，以留出未加工的半導(dǎo)體晶片的外周部(下文被稱為肋部)。然后，在肋部未被加工的情況下或者在去除肋部之后實(shí)施對(duì)半導(dǎo)體晶片的切割，以將半導(dǎo)體晶片分開(kāi)成單個(gè)半導(dǎo)體芯片。在這樣切割半導(dǎo)體晶片時(shí)，為了避免通過(guò)切割而分開(kāi)的半導(dǎo)體芯片會(huì)散開(kāi)的問(wèn)題，公知一種方法借助諸如切割板的粘附板來(lái)實(shí)施切割，該粘附板粘著到例如半導(dǎo)體晶片的底面上。在借助粘著到半導(dǎo)體晶片的底面上的粘附板來(lái)實(shí)施切割之后，將粘著到粘附板以與其固定的半導(dǎo)體芯片供給到拾取系統(tǒng)，用于將半導(dǎo)體芯片從粘附板拾取以分開(kāi)成單獨(dú)的半導(dǎo)體芯片。對(duì)于從粘附板拾取半導(dǎo)體芯片的方法，提出如下一種方法。根據(jù)該方法，通過(guò)諸如針的工具例如從粘著有粘附板的底面?zhèn)认蛏贤泼總€(gè)半導(dǎo)體芯片，以減小半導(dǎo)體芯片與粘附板的接觸面積。然后，通過(guò)諸如夾頭的工具，將吸力施加于被針向上推的半導(dǎo)體芯片，以從粘附板拾取半導(dǎo)體芯片。然而，當(dāng)這種拾取方法應(yīng)用于薄型半導(dǎo)體芯片時(shí)，上推半導(dǎo)體芯片的針可能造成半導(dǎo)體芯片的底面上的裂紋或半導(dǎo)體芯片的破損。為了解決這個(gè)問(wèn)題，作為在不用針來(lái)推動(dòng)的情況下減小半導(dǎo)體芯片和粘附板之間的接觸面積的方法，提出如下方法。根據(jù)該方法，采用包括夾具基座和粘附層的固定夾具。該夾具基座在一側(cè)具有側(cè)壁以及多個(gè)凸起部。粘附層層疊在具有凸起部的夾具基座的表面上，并連結(jié)于側(cè)壁的頂面。在具有凸起部的夾具基座表面上，由粘附層、凸起部和側(cè)壁構(gòu)成分區(qū)空間。每個(gè)分區(qū)空間通過(guò)通孔連接到真空源。通過(guò)通孔，吸力施加于每個(gè)分區(qū)空間內(nèi)的空氣，以使粘附層變形。并且，夾頭從芯片的頂面?zhèn)葘⑽κ┘佑谛酒?，以從粘附層拾取芯?參見(jiàn)例如 JP-A-2008-103493)。作為另一方法，提出如下方法。根據(jù)該方法，在具有多個(gè)吸引槽和多個(gè)凸起部的平臺(tái)上，芯片狀部件安裝有連結(jié)于部件的底面上的粘附保持板，該粘附保持板與平臺(tái)接觸。多個(gè)吸引槽分布成覆蓋面向芯片狀部件的區(qū)域，且多個(gè)凸起部定位成至少在吸引槽之間的兩個(gè)位置處部分地面對(duì)每個(gè)芯片狀部件。通過(guò)將負(fù)壓施加到吸引槽，將保持板從芯片狀部件去除，同時(shí)變形成沿凸起部粘著。此時(shí)，使施加到面向芯片狀部件的外周部的吸引槽的負(fù)壓更強(qiáng)，因而，從芯片狀部件的外周部去除保持板(例如參見(jiàn)JP-A-11-54594)。作為又一方法，提出如下方法。根據(jù)該方法，在吸引部件的表面上設(shè)置吸著面和側(cè)壁，半導(dǎo)體芯片的背面?zhèn)仍谠摫砻嫔习惭b有放置于兩者之間的切割帶。吸著面具有高度相等的多個(gè)凸起部，以垂直地立起。每個(gè)凸起部具有向上凹入并大致半球形的頂面。側(cè)壁設(shè)置在吸著面的 整個(gè)周緣上，該吸著面的寬度為O. 4毫米或更小，高度等于凸起部的高度或與凸起部的高度之差小于I毫米。此外，吸引孔設(shè)置在相鄰的凸起部之間的底面、凸起部的側(cè)表面中的至少一個(gè)或每一個(gè)內(nèi)。借助每個(gè)吸引孔，將切割帶吸引到凸起部。并且，在半導(dǎo)體芯片的頂面?zhèn)壬希瑠A頭拾取半導(dǎo)體芯片。當(dāng)吸力借助吸引孔施加于切割帶時(shí)，吸力施加成在切割帶的彈性極限內(nèi)使切割帶略向下進(jìn)入吸引部件的吸著面和側(cè)壁之間(例如，參見(jiàn)JP-A-2010-123750)。此外，作為用于防止半導(dǎo)體芯片受到如刮擦之類的損壞的拾取系統(tǒng)，提出如下系統(tǒng)。根據(jù)該系統(tǒng)，晶片平臺(tái)包括多個(gè)凸起部、多個(gè)吸引槽和真空單元。多個(gè)凸起部在它們頂部處通過(guò)粘附板保持住每個(gè)IC芯片的底面。多個(gè)吸引槽形成于一些底部部分內(nèi)，而每個(gè)底部部分形成于多個(gè)凸起部的相鄰?fù)蛊鸩恐g。真空單元通過(guò)連接管連接到吸引槽，并在吸引槽處產(chǎn)生吸引力，以由此將粘附板與IC芯片分開(kāi)，以使粘附板吸引到各形成于相鄰?fù)蛊鸩恐g的底部部分(例如，參見(jiàn)JP-A-5-335405 )。專利文獻(xiàn)I JP-A-2008-103493專利文獻(xiàn)2 JP-A-11-54594專利文獻(xiàn)3 JP-A-2010-123750專利文獻(xiàn)4 JP-A-5_335405然而，借助前述公開(kāi)的現(xiàn)有技術(shù)的每個(gè)方法，如圖16中所示產(chǎn)生如下問(wèn)題。圖16是示出處于保持在半導(dǎo)體裝置的相關(guān)制造系統(tǒng)內(nèi)的保持平臺(tái)上的狀態(tài)下的半導(dǎo)體芯片。在圖16中，示出如下?tīng)顟B(tài)固定多個(gè)半導(dǎo)體芯片IOla的粘附板102變形成沿保持平臺(tái)半導(dǎo)體晶片I上的凸起部半導(dǎo)體晶片Ia粘著。當(dāng)使粘附板102如圖16中所不變形時(shí)，將粘附板102從半導(dǎo)體芯片IOla-1的同一底面去除的時(shí)間差致使半導(dǎo)體芯片IOla-1處于在通過(guò)夾頭將吸引力施加于半導(dǎo)體芯片IOla-1時(shí)相對(duì)于保持平臺(tái)111傾斜的狀態(tài)。在半導(dǎo)體芯片IOla-1處于相對(duì)于保持平臺(tái)111傾斜的狀態(tài)的情況下，存在如下可能性，即，半導(dǎo)體芯片IOla-1的一個(gè)端部與相鄰的半導(dǎo)體芯片101a-2的端部接觸，以使半導(dǎo)體芯片IOla-1和101a-2碎裂。還是在半導(dǎo)體芯片IOla-1處于相對(duì)于保持平臺(tái)111傾斜的狀態(tài)的情況下，還存在如下可能性，即，半導(dǎo)體芯片IOla-1的被抬高側(cè)的端部碰到夾頭(未示出)，從而損壞半導(dǎo)體芯片IOla-1。此外，被吸引到凸起部Illa的粘附板102的變形容易程度根據(jù)諸如下述因素而不同，g卩，半導(dǎo)體芯片IOla至粘附板102的粘著根據(jù)半導(dǎo)體芯片IOla的底面是否存在金屬膜或表面粗糙度而不同，以及粘附板102的粘著性或剛度根據(jù)基材的類型以及形成粘附板102的材料質(zhì)量而變化。因此，難以控制粘附板102恒定地變形成凸起部Ila的形狀。因此，借助上述闡釋的現(xiàn)有技術(shù)的方法，不可以防止半導(dǎo)體芯片IOla-1處于相對(duì)于保持平臺(tái)111傾斜的狀態(tài)。為了解決上述闡釋的現(xiàn)有技術(shù)中的問(wèn)題，本發(fā)明的目的是提供一種半導(dǎo)體裝置的制造方法和半導(dǎo)體裝置的制造系統(tǒng)，該制造方法和系統(tǒng)能從粘附板去除半導(dǎo)體芯片，以在高品質(zhì)狀態(tài)下拾取該半導(dǎo)體芯片。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決之前所闡釋的問(wèn)題并實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的，根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置制造方法是用于從粘附板拾取半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體裝置制造方法，該半導(dǎo)體芯片通過(guò)借助切割來(lái)切斷粘著于粘附板的半導(dǎo)體晶片來(lái)形成，該方法的特征在于包括如下步驟準(zhǔn)備平臺(tái)，該平臺(tái)具有位于其上表面上的多個(gè)槽、排空裝置和將吸力施加于半導(dǎo)體芯片的吸引裝置；將半導(dǎo)體芯片安裝在平臺(tái)上，以使半導(dǎo)體芯片的端部的方向相對(duì)于平臺(tái)上的槽的方向形成規(guī)定角度，使半導(dǎo)體芯片的粘著有粘附板的表面?zhèn)任挥谄脚_(tái)側(cè)；使半導(dǎo)體芯片保持在頂部上，粘附板介于半導(dǎo)體芯片和頂部之間，該頂部由平臺(tái)上的所述槽的開(kāi)口側(cè)上的端部來(lái)構(gòu)成，而由與平臺(tái)接觸的粘附板和平臺(tái)上的槽圍繞的空間通過(guò)排空裝置來(lái)排空；以及通過(guò)吸引裝置將吸力施加于保持在頂部處半導(dǎo)體芯片，以拾取半導(dǎo)體芯片。根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法的特征在于，在上述發(fā)明中，在安裝半導(dǎo)體芯片的步驟中，半導(dǎo)體芯片在平臺(tái)上安裝成使在半導(dǎo)體芯片的平臺(tái)側(cè)表面上，頂部與作為半導(dǎo)體芯片的端部中的一個(gè)端部的至少一側(cè)接觸。根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法的特征在于，在上述的發(fā)明中，在保持半導(dǎo)體芯片的步驟中，空間被排空以使粘著于半導(dǎo)體芯片的粘性板變形成沿槽的側(cè)壁來(lái)粘著，由此，使半導(dǎo)體芯片保持在頂部處。根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法的特征在于，在上述的發(fā)明中，在使半導(dǎo)體芯片保持的步驟中，空間被排空到半導(dǎo)體芯片與粘附板接觸的接觸部分僅是對(duì)應(yīng)于頂部的部分的程度，由此使半導(dǎo)體芯片保持在頂部處。為了解決上述的問(wèn)題并實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的，根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置制造系統(tǒng)是用于從粘附板拾取半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體裝置的制造系統(tǒng)，該半導(dǎo)體芯片通過(guò)借助切割來(lái)切斷粘著于粘附板的半導(dǎo)體晶片來(lái)形成，該系統(tǒng)的特征在于包括安裝有半導(dǎo)體芯片的平臺(tái)，該平臺(tái)具有多個(gè)槽和至少一個(gè)氣孔，多個(gè)槽以規(guī)定的間隔形成于平臺(tái)的安裝有半導(dǎo)體芯片的表面上，至少一個(gè)氣孔形成于平臺(tái)內(nèi)，以連接到槽中的至少一個(gè)槽；頂部，該頂部由槽的開(kāi)口側(cè)上的端部來(lái)構(gòu)成，以將半導(dǎo)體芯片保持在頂部上，粘附板介于頂部和半導(dǎo)體芯片之間；用于通過(guò)氣孔排空空間的排空裝置，該空間由粘著 于安裝在平臺(tái)上的半導(dǎo)體芯片的平臺(tái)側(cè)表面的粘附板和平臺(tái)上所具有的槽所圍繞；以及吸引裝置，該吸引裝置將吸力施加于半導(dǎo)體芯片，以拾取通過(guò)使空間由排空裝置來(lái)排空而僅保持在頂部處的半導(dǎo)體芯片，在該系統(tǒng)中，半導(dǎo)體芯片安裝在平臺(tái)上，以使半導(dǎo)體芯片的端部的方向相對(duì)于槽的方向形成規(guī)定角度，而使半導(dǎo)體芯片的粘著有粘附板的表面?zhèn)任挥谄脚_(tái)側(cè)。根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置制造系統(tǒng)的特征在于，在上述的發(fā)明中，半導(dǎo)體芯片安裝在平臺(tái)上，以使在半導(dǎo)體芯片的平臺(tái)側(cè)表面上，頂部與作為半導(dǎo)體芯片的端部中的一個(gè)端部的至少一側(cè)接觸。根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置制造系統(tǒng)的特征在于，在上述的發(fā)明中，在頂部上設(shè)置與半導(dǎo)體芯片面接觸的平面。根據(jù)本·發(fā)明的半導(dǎo)體裝置制造系統(tǒng)的特征在于，在上述的發(fā)明中，排空裝置排空空間，以使粘著于半導(dǎo)體芯片的粘附板變形成沿槽的側(cè)壁來(lái)粘著。根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置制造系統(tǒng)的特征在于，在上述的發(fā)明中，排空裝置將空間排空到半導(dǎo)體芯片的與粘附板接觸的每個(gè)接觸部分的尺寸僅僅是對(duì)應(yīng)于頂部的部分的尺寸的程度。為了解決上述的問(wèn)題并實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的，根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置制造系統(tǒng)是用于從粘附板拾取半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體裝置的制造系統(tǒng)，該半導(dǎo)體芯片通過(guò)借助切割來(lái)切斷粘著于粘附板的半導(dǎo)體晶片來(lái)形成，該系統(tǒng)的特征在于包括安裝有半導(dǎo)體芯片的平臺(tái)，該平臺(tái)具有多個(gè)槽和至少一個(gè)氣孔，多個(gè)槽以規(guī)定的間隔形成于平臺(tái)的安裝有半導(dǎo)體芯片的表面上，至少一個(gè)氣孔形成于平臺(tái)內(nèi)，以連接到槽中的至少一個(gè)槽；頂部，該頂部由槽的開(kāi)口側(cè)上的端部來(lái)構(gòu)成，以將半導(dǎo)體芯片保持在頂部上，粘附板則介于頂部和半導(dǎo)體芯片之間；用于通過(guò)氣孔排空空間的排空裝置，該空間由粘著于安裝在平臺(tái)上的半導(dǎo)體芯片的平臺(tái)側(cè)表面的粘附板和平臺(tái)上所具有的槽所圍繞；吸引裝置，該吸引裝置將吸力施加于半導(dǎo)體芯片，以拾取通過(guò)使空間由排空裝置來(lái)排空而僅保持在頂部處的半導(dǎo)體芯片，；以及驅(qū)動(dòng)裝置，該驅(qū)動(dòng)裝置使平臺(tái)和半導(dǎo)體芯片中的一個(gè)轉(zhuǎn)動(dòng)，以在將半導(dǎo)體芯片安裝在平臺(tái)上時(shí)使半導(dǎo)體芯片的端部的方向相對(duì)于槽的方向形成規(guī)定角度。根據(jù)該實(shí)施例，在具有矩形平坦形狀的半導(dǎo)體芯片平臺(tái)側(cè)表面上，至少一個(gè)凸起部的頂部與半導(dǎo)體芯片的相當(dāng)于一側(cè)的至少一個(gè)端部接觸，而粘附板介于頂部和半導(dǎo)體芯片之間。由此，由粘附板和槽的側(cè)壁所圍繞的空間(閉合空間)由排空裝置來(lái)排空。因此，當(dāng)粘附板的面向槽的各部分從半導(dǎo)體芯片去除時(shí)，在半導(dǎo)體芯片的平臺(tái)側(cè)表面上，使每個(gè)端部具有粘著于粘附板的部分和不粘著于粘附板的部分。因此，當(dāng)通過(guò)吸引裝置將吸力施加于半導(dǎo)體芯片時(shí)，使由粘附板施加、以朝向平臺(tái)側(cè)吸引半導(dǎo)體芯片的每個(gè)端部的吸引力分散開(kāi)。因此，當(dāng)吸力通過(guò)吸引裝置施加于半導(dǎo)體芯片時(shí)，沒(méi)有半導(dǎo)體芯片處于相對(duì)于平臺(tái)傾斜的狀態(tài)。這可防止半導(dǎo)體芯片由于半導(dǎo)體芯片相對(duì)于平臺(tái)傾斜而造成的碎斷和刮擦。此外，根據(jù)上述的本發(fā)明，通過(guò)排空裝置，將粘附板的面向槽的各部分從半導(dǎo)體芯片去除，由此，半導(dǎo)體芯片僅由多個(gè)頂部來(lái)保持，而粘附板2介于頂部和半導(dǎo)體芯片之間。這可使半導(dǎo)體芯片和粘附板之間的粘著減小到允許半導(dǎo)體芯片僅通過(guò)吸引裝置的吸力來(lái)拾取的程度。因此，當(dāng)半導(dǎo)體芯片由吸引裝置來(lái)拾取時(shí)，無(wú)須實(shí)施通過(guò)諸如在現(xiàn)有技術(shù)方法中的針之類的工具來(lái)向上推半導(dǎo)體芯片的過(guò)程。因此，可以防止半導(dǎo)體芯片的頂面被諸如針的工具刮擦。通過(guò)根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置制造方法和半導(dǎo)體裝置制造系統(tǒng)，存在允許半導(dǎo)體芯片從粘附板去除從而以高品質(zhì)狀態(tài)拾取半導(dǎo)體芯片的有利效果。


圖1是示出通過(guò)根據(jù)實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置制造系統(tǒng)來(lái)加工的半導(dǎo)體晶片的平面圖；圖2是處于經(jīng)受切割之后狀態(tài)的圖1所示半導(dǎo)體晶片的平面圖；圖3是示意地示出根據(jù)實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置制造系統(tǒng)的主要部分的立體圖；圖4是示意地示出根據(jù)實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置制造系統(tǒng)的主要部分的剖視圖；圖5是示意地示出根據(jù)實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置制造系統(tǒng)的主要部分的放大立體圖；圖6是示出處于安裝在根據(jù)實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置制造系統(tǒng)內(nèi)的保持平臺(tái)上的狀態(tài)的半導(dǎo)體晶片的平面圖；圖7是示出處于安裝在根據(jù)實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造系統(tǒng)內(nèi)的保持平臺(tái)上的狀態(tài)的半導(dǎo)體晶片的剖視圖；圖8是示出處于安裝在根據(jù)實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造系統(tǒng)內(nèi)的、如圖7中所示的保持平臺(tái)上的半導(dǎo)體晶片中的一個(gè)的剖視圖；圖9是示出如下?tīng)?態(tài)的剖視圖，其中，在圖8中所示狀態(tài)之后，由粘附板和平臺(tái)的槽的側(cè)壁圍繞的閉合空間被排空，以從半導(dǎo)體芯片去除粘附板；圖10是示出如下?tīng)顟B(tài)的剖視圖，其中，在圖9中所示狀態(tài)之后，將夾頭設(shè)置在半導(dǎo)體芯片上方；圖11是示出如下?tīng)顟B(tài)的剖視圖，其中，在圖10中所示狀態(tài)之后，由夾頭從保持平臺(tái)拾取半導(dǎo)體芯片；圖12是示意地示出根據(jù)實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置制造系統(tǒng)內(nèi)的拾取系統(tǒng)的立體圖；圖13是示出圖12中所示的半導(dǎo)體裝置制造系統(tǒng)內(nèi)的拾取系統(tǒng)的操作的平面圖；圖14是示意地示出根據(jù)實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置制造系統(tǒng)的另一示例內(nèi)的拾取系統(tǒng)的平面圖；圖15是示出圖14中所示的半導(dǎo)體裝置制造系統(tǒng)的拾取系統(tǒng)的操作的平面圖；以及圖16是示出處于保持在半導(dǎo)體裝置的現(xiàn)有制造系統(tǒng)內(nèi)的保持平臺(tái)上的半導(dǎo)體晶片的剖視圖。
具體實(shí)施例方式在下文中，將參照附圖詳細(xì)地闡釋半導(dǎo)體裝置的制造方法和半導(dǎo)體裝置的制造系統(tǒng)的較佳實(shí)施例。在對(duì)實(shí)施例和附圖的下述闡釋中，相同構(gòu)件由相同的附圖標(biāo)記或符號(hào)來(lái)標(biāo)示，并省去了對(duì)這些相同構(gòu)件的重復(fù)闡釋。圖1是示出通過(guò)根據(jù)實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置制造系統(tǒng)來(lái)加工的半導(dǎo)體晶片的平面圖。圖2是處于經(jīng)受切割之后狀態(tài)下的圖1所示半導(dǎo)體晶片的平面圖。首先，將參照在通過(guò)根據(jù)實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造系統(tǒng)來(lái)加工之前的半導(dǎo)體晶片I來(lái)闡釋。如圖1和2中所示，半導(dǎo)體晶片I在粘附板(切割板)2與其粘著的情況下經(jīng)受切割，以切成單獨(dú)的半導(dǎo)體晶片la，在每個(gè)半導(dǎo)體晶片Ia上形成有裝置的表面結(jié)構(gòu)(電子電路)。具體來(lái)說(shuō)，半導(dǎo)體晶片I例如如下所述地受到切割，以切成單獨(dú)的半導(dǎo)體晶片la。首先，如圖1中所示，在每個(gè)半導(dǎo)體芯片形成區(qū)域Ib內(nèi)，裝置的表面結(jié)構(gòu)形成于半導(dǎo)體晶片I的頂面?zhèn)壬稀０雽?dǎo)體芯片形成區(qū)域Ib例如等間隔地以島狀來(lái)設(shè)置。在相鄰的半導(dǎo)體芯片形成區(qū)域Ib之間形成有諸如切割線Ic之類的標(biāo)記。隨后，在半導(dǎo)體晶片I的底面上實(shí)施背面磨削和硅蝕刻，以使半導(dǎo)體晶片I變薄到晶片I的厚度變成規(guī)定厚度的程度。此時(shí)，半導(dǎo)體晶片I可以是具有平坦底面的晶片或者能形成為底面?zhèn)壬狭粲型庵懿?肋部)的帶肋部晶片。然后，粘附板2粘著到變薄的半導(dǎo)體晶片I的底面?zhèn)壬稀Ｕ掣桨?用于防止通過(guò)切割而分開(kāi)的半導(dǎo)體芯片Ia散開(kāi)。隨后，切割框3粘著到粘附板2的半導(dǎo)體晶片I側(cè)表面上，以由此將半導(dǎo)體晶片I固定到切割框3。然后，沿切割線lc，從半導(dǎo)體晶片I的頂面?zhèn)葘?shí)施對(duì)半導(dǎo)體晶片I的切割。此時(shí)，將該切割實(shí)施成由切割所形成的槽不穿過(guò)粘附板2。因此，半導(dǎo)體晶片I被切成如圖2中所示的單獨(dú)的半導(dǎo)體芯片la。粘附板2的厚度期望例如在20微米到200微米之間。原因在于，粘附板2的厚度大于200微米會(huì)造成粘附板2的剛度變得過(guò)高，從而粘附板2變得太硬而幾乎不能沿設(shè)置在如之后闡釋的保持平臺(tái)上的槽的側(cè)壁變形，這造成在通過(guò)根據(jù)實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置制造系統(tǒng)從粘附板2拾取半導(dǎo)體芯片Ia時(shí)，不可以從半導(dǎo)體芯片Ia去除粘附板2。由半導(dǎo)體晶片I切出的單獨(dú)的半導(dǎo)體芯片Ia仍處于粘著于粘附板2的狀態(tài)。因此，通過(guò)根據(jù)下文闡釋的實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造系統(tǒng)來(lái)從粘附板2拾取半導(dǎo)體芯片，以彼此分開(kāi)。即，根據(jù)實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置制造系統(tǒng)是從粘附板2拾取粘著到粘附板2的半導(dǎo)體芯片Ia的拾取系統(tǒng)。隨后，參照半導(dǎo)體裝置的制造系統(tǒng)(下文稱為拾取系統(tǒng))的結(jié)構(gòu)來(lái)進(jìn)行闡釋。圖3是示意地示出根據(jù)實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置制造系統(tǒng)的主要部分的立體圖。此外，圖4是示意地示出根據(jù)實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置制造系統(tǒng)的主要部分的剖視圖。如圖3和4中所示，拾取系統(tǒng)設(shè)有保持平臺(tái)10，該保持 平臺(tái)包括第一平臺(tái)11、第二平臺(tái)12和排空管路13。半導(dǎo)體芯片Ia安置于第一平臺(tái)11上，而粘附板2介于第一平臺(tái)與半導(dǎo)體芯片之間。第二平臺(tái)12支承第一平臺(tái)U。設(shè)置排空管路13，以實(shí)施對(duì)保持平臺(tái)10的排空。第一平臺(tái)11在安裝有半導(dǎo)體芯片一側(cè)的表面上(下文稱為上表面)具有多個(gè)槽
21、以相鄰槽21的側(cè)壁形成的凸起部22以及連接到槽21的氣孔14。第一平臺(tái)11具有例如圓形平面的外形。此外，第一平臺(tái)11由第二平臺(tái)12的圓筒形側(cè)壁12b支承，第二平臺(tái)具有在一側(cè)閉合的表面12a (下文稱為底面)，以覆蓋第二平臺(tái)12的另一側(cè)上的開(kāi)口 12c。第一平臺(tái)11由第二平臺(tái)12的側(cè)壁12b支承，而與第一平臺(tái)11的上表面相對(duì)側(cè)的表面(下文稱為下表面)與第二平臺(tái)12的底面12a分開(kāi)。此外，第一平臺(tái)11的側(cè)表面與第二平臺(tái)12的側(cè)壁12b的內(nèi)表面接觸，因而，在兩者之間沒(méi)有出現(xiàn)間隙。因此，在保持平臺(tái)10內(nèi)形成有排空空間15，該排空空間被第一平臺(tái)11和第二平臺(tái)12所圍繞。排空空間15形成為使設(shè)置在第一平臺(tái)11內(nèi)的氣孔14與設(shè)置在第二平臺(tái)12內(nèi)的排空管路13連接。每個(gè)氣孔14形成為通過(guò)從形成于第一平臺(tái)11的上表面上的槽21的底部穿過(guò)第一平臺(tái)11來(lái)連接槽21和排空空間15。在第一平臺(tái)11內(nèi)設(shè)置有至少一個(gè)氣孔14。排空管路13例如穿過(guò)第二平臺(tái)12的側(cè)壁12b以暴露于第二平臺(tái)12的外部。排空管路13的暴露于第二平臺(tái)12外部的部分通過(guò)閥連接到排空裝置，省去對(duì)該閥的說(shuō)明。通過(guò)借助排空裝置來(lái)實(shí)施排空，形成穿過(guò)氣孔14、排空空間15和排空管路16的氣流(實(shí)線箭頭)16，通過(guò)該氣流進(jìn)行對(duì)第一平臺(tái)11的上表面?zhèn)壬峡諝獾某槲?。如下文將闡釋地，半導(dǎo)體芯片Ia以其粘著有粘附板2的表面處于下側(cè)(第一平臺(tái)11偵彳)的狀態(tài)安裝在第一平臺(tái)11的上表面上。因此，通過(guò)用排空裝置來(lái)實(shí)施排空，由粘附板2、第一平臺(tái)11的槽21的側(cè)壁和第二平臺(tái)12所圍繞的空間(下文稱為閉合空間)被排空。這使粘附板2沿槽21的側(cè)壁變形，通過(guò)這種變形從半導(dǎo)體芯片Ia去除粘附板2的面向槽21的部分。如圖4(a)中所示，第二平臺(tái)12設(shè)置成第二平臺(tái)的上表面的高度等于第一平臺(tái)11的上表面高度。即，第二平臺(tái)12設(shè)置成其上表面從第二平臺(tái)12的上表面到第一平臺(tái)11的上表面是平坦的。替代地，如圖4(b)中所示，為了使保持平臺(tái)10可以應(yīng)用于帶肋部晶片(未示出)，第二平臺(tái)12的上表面可以比第一平臺(tái)11的上表面低了帶肋部晶片的肋部厚度的量。在第二平臺(tái)12的上表面上不設(shè)置有槽21。因此，當(dāng)將半導(dǎo)體芯片Ia以粘附板2介于半導(dǎo)體芯片和第一平臺(tái)之間的狀態(tài)而安裝于第一平臺(tái)11上時(shí)，形成有由粘附板2、第一平臺(tái)11的槽21的側(cè)壁和第二平臺(tái)12所圍繞的閉合空間。排空裝置實(shí)施對(duì)閉合空間的排空，該閉合空間在半導(dǎo)體芯片Ia以粘附板2介于半導(dǎo)體芯片和第一平臺(tái)之間的狀態(tài)而安裝于第一平臺(tái)上時(shí)由粘附板2、第一平臺(tái)11的槽21的側(cè)壁和第二平臺(tái)12所圍繞。此外，排空裝置使粘著于半導(dǎo)體芯片Ia的粘附板2變形成沿槽21的側(cè)壁而粘著。具體來(lái)說(shuō)，排空裝置將閉合空間排空到如下程度，即，半導(dǎo)體芯片Ia與粘附板2接觸的每個(gè)部分的尺寸減小到僅為對(duì)應(yīng)于半導(dǎo)體芯片Ia側(cè)上的凸起部22的每個(gè)端部(下文被稱為頂部)的部分的尺寸。在拾取系統(tǒng)的保持平臺(tái)10上方設(shè)置有夾頭(未示出)，該夾頭拾取半導(dǎo)體芯片la。夾頭通過(guò)將吸引力施加于半導(dǎo)體芯片Ia而吸引半導(dǎo)體芯片la，以在由粘附板2、第一平臺(tái)11的槽21的側(cè)壁和第二平臺(tái)12圍繞的閉合空間被排空之后從第一平臺(tái)11拾取半導(dǎo)體芯片la。 具體地說(shuō)，夾頭將吸引力施加于半導(dǎo)體芯片la，以在粘附板2變形到如下程度之后拾取半導(dǎo)體芯片，即，半導(dǎo)體芯片Ia與粘附板2接觸的部分的尺寸減小到僅為對(duì)應(yīng)于凸起部22的頂部的部分的尺寸。夾頭設(shè)有離開(kāi)半導(dǎo)體芯片Ia的規(guī)定間隙，該半導(dǎo)體芯片保持于第一平臺(tái)11的凸起部22，而粘附板2介于第一平臺(tái)和半導(dǎo)體芯片之間。原因在于，半導(dǎo)體芯片Ia能在不將夾頭推到半導(dǎo)體芯片Ia上的情況下被拾取，這使得可以防止諸如形成于半導(dǎo)體芯片Ia的頂面上的裝置結(jié)構(gòu)之類的結(jié)構(gòu)受到損壞。此外，拾取系統(tǒng)可設(shè)有用于加熱粘附板2的加熱裝置(未示出)。通過(guò)用加熱裝置來(lái)加熱粘附板2，粘附板2變得容易變形。具體來(lái)說(shuō)，加熱裝置例如可以是加熱由粘附板2、第一平臺(tái)11的槽21的側(cè)壁和第二平臺(tái)12圍繞的閉合空間的加熱器。通過(guò)CPU來(lái)實(shí)施對(duì)保持平臺(tái)10、排空裝置、夾頭和加熱裝置的控制以及對(duì)下文將闡釋的驅(qū)動(dòng)部分、探測(cè)部分和圖像處理部分的控制，該CPU利用記錄在拾取系統(tǒng)內(nèi)的諸如ROM、RAM、磁盤和光盤之類的記錄介質(zhì)內(nèi)的程序和數(shù)據(jù)來(lái)執(zhí)行規(guī)定的程序。接下來(lái)，將對(duì)第一平臺(tái)11內(nèi)的凸起部22和槽21來(lái)給出詳細(xì)解釋。圖5是示意地示出根據(jù)實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造系統(tǒng)的主要部分的放大立體圖。在圖5中，放大地示出圖3中所示的第一平臺(tái)11的部分11a。如圖5中所示，槽21形成有以規(guī)定間隔設(shè)置的多個(gè)第一槽21a以及以規(guī)定間隔垂直于第一槽21a設(shè)置的第二槽21b。第一槽21a和第二槽21b設(shè)置有從第一平臺(tái)11的上表面而不到達(dá)第一平臺(tái)11的下表面的深度。相鄰的第一槽21a之間的間距和相鄰的第二槽21b之間的間距期望是等于或小于矩形半導(dǎo)體芯片Ia的短邊長(zhǎng)度。原因在于，可使半導(dǎo)體芯片Ia的短邊由至少兩個(gè)凸起部22保持。第一槽21a和第二槽21b中的每個(gè)槽的截面形狀期望呈倒三角形，該倒三角形的寬度朝向第一平臺(tái)11的深度逐步變窄，或者，槽的截面呈矩形形狀，該矩形的寬度朝向第一平臺(tái)11的深度大致相等。原因在于，當(dāng)?shù)谝徊?1a和第二槽21b形成于第一平臺(tái)11的上表面上時(shí)，可易于對(duì)它們進(jìn)行機(jī)加工。在第一平臺(tái)11的上表面上由多個(gè)第一槽21a和多個(gè)第二槽21b形成多個(gè)凸起部22，以在粘附板2介于第一平臺(tái)和半導(dǎo)體芯片之間的狀態(tài)下保持半導(dǎo)體芯片la。每個(gè)凸起部22形成為類錐臺(tái)形。在半導(dǎo)體芯片Ia側(cè)的凸起部22的端部(頂部)22a處設(shè)置有與半導(dǎo)體芯片Ia面接觸的平面。凸起部22的頂部22a形成為與例如保持在第一平臺(tái)11的上表面上的半導(dǎo)體芯片Ia的底面平行的平坦平面。借助該平坦平面，凸起部22與第一平臺(tái)11側(cè)的半導(dǎo)體芯片Ia的表面面接觸。凸起部22的形狀可以是允許夾頭(未示出)拾取凸起部22上的半導(dǎo)體芯片la、但不使半導(dǎo)體芯片Ia傾斜的形狀，該夾頭將吸力施加于半導(dǎo)體芯片Ia以拾取它。具體來(lái)說(shuō)，凸起部22的形狀不限于類截錐(錐臺(tái))形，而例如可以是類錐體或類立方體。當(dāng)凸起部22的形狀是類錐體時(shí)，凸起部22的頂部22a與半導(dǎo)體芯片Ia點(diǎn)接觸。每個(gè)凸起部22設(shè)有彼此相等的高度，以使每個(gè)頂部22a定位在同一平面上。

凸起部22的頂部22a的表面積根據(jù)拾取半導(dǎo)體芯片Ia的夾頭的吸引力來(lái)確定，該半導(dǎo)體芯片在粘附板2介于凸起部與半導(dǎo)體芯片之間的狀態(tài)下保持于凸起部22的頂部22a上。具體來(lái)說(shuō)，每個(gè)凸起部22的頂部22a的表面積是確定的，因而，當(dāng)粘附板2處于在每個(gè)凸起部22的位置處僅以面積等于凸起部22的頂部22a的表面積的部分粘著于半導(dǎo)體芯片Ia的狀態(tài)時(shí)，半導(dǎo)體芯片Ia和粘附板2之間的粘著變?yōu)閵A頭能從粘附板2拾取半導(dǎo)體芯片Ia的程度。接下來(lái)，將對(duì)第一槽21a和第二槽21b、凸起部22和半導(dǎo)體芯片Ia之間的位置關(guān)系來(lái)進(jìn)行闡釋。圖6是示出處于安裝在根據(jù)實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置制造系統(tǒng)內(nèi)的保持平臺(tái)上的狀態(tài)的半導(dǎo)體晶片的平面圖。此外，圖7是示出處于安裝在根據(jù)實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造系統(tǒng)內(nèi)的保持平臺(tái)上的狀態(tài)的半導(dǎo)體晶片的剖視圖。在圖6中，盡管省去了對(duì)粘附板的說(shuō)明，但半導(dǎo)體芯片Ia仍是在粘附板介于半導(dǎo)體芯片和第一平臺(tái)之間的狀態(tài)下安裝于第一平臺(tái)11上。如圖6中所示，半導(dǎo)體芯片Ia安裝在第一平臺(tái)11上，以使對(duì)應(yīng)于半導(dǎo)體芯片Ia的一側(cè)的整個(gè)第一端部Id-1既不定位在第一槽21a上也不定位在第二槽21b上。具體來(lái)說(shuō)，半導(dǎo)體芯片Ia安裝在第一平臺(tái)11上，以使半導(dǎo)體芯片Ia的第一端部ld_l的方向相對(duì)于第一槽21a (或第二槽21b)的方向形成規(guī)定角度Θ。這使至少一個(gè)凸起部22的頂部22a與半導(dǎo)體芯片Ia的第一平臺(tái)11側(cè)的表面上的半導(dǎo)體芯片Ia第一端部ld_l接觸。在圖6中，示出這樣的狀態(tài)半導(dǎo)體芯片Ia的第一端部Ichl的方向與第一槽21a的方向形成規(guī)定角度Θ。下文中，將對(duì)半導(dǎo)體芯片Ia的第一端部Id-1的方向與第一槽21a的方向形成規(guī)定角度Θ的狀況進(jìn)行闡釋。此外，在圖6中，以虛線示出其上安置有半導(dǎo)體芯片Ia的凸起部22。
在如此確定半導(dǎo)體芯片Ia的第一端部Id-1與第一槽21a的位置的情況下,通過(guò)由排空裝置施加的負(fù)壓，粘附板2的面向第一槽21a和第二槽21b的部分從半導(dǎo)體芯片Ia去除，以由此使半導(dǎo)體芯片Ia僅由凸起部22的頂部22a來(lái)保持。此時(shí)，使通過(guò)粘附板2向下(到第一平臺(tái)11側(cè)上)吸引半導(dǎo)體芯片Ia的第一端部Id-1的力分散開(kāi)。具體來(lái)說(shuō)，當(dāng)半導(dǎo)體芯片Ia僅由凸起部22的頂部22a來(lái)保持時(shí)，使粘附板2處于僅在對(duì)應(yīng)于凸起部22的頂部22a的部分處與半導(dǎo)體芯片Ia緊密接觸的狀態(tài)。因此，在半導(dǎo)體芯片Ia的第一平臺(tái)11側(cè)的表面上，至少一個(gè)凸起部22的頂部22a與半導(dǎo)體芯片Ia的第一端部Id-1接觸，由此可以在半導(dǎo)體芯片Ia的第一端部Id-1內(nèi)產(chǎn)生通過(guò)粘附板2而產(chǎn)生吸引力的部分和不產(chǎn)生這種吸引力的部分。此外，關(guān)于對(duì)應(yīng)于半導(dǎo)體芯片Ia的其它側(cè)部的第二端部ld-2到第四端部ld_4，與半導(dǎo)體芯片Ia的第一端部Id-1類似，半導(dǎo)體芯片Ia在第一平臺(tái)11上安裝成使第二端部ld-2到第四端部ld-4中的每個(gè)端部的方向相對(duì)于第一槽21a或第二槽21b的方向形成規(guī)定角度Θ。具體來(lái)說(shuō)，當(dāng)半導(dǎo)體芯片Ia的第一端部Id-1的方向和第一槽21a的方向形成角度Θ時(shí)，半導(dǎo)體芯片Ia在第一平臺(tái)11上安裝成使第二端部ld-2和第四端部ld-4中的每個(gè)端部的方向相對(duì)于第二槽21b的方向形成角度Θ，而第三端部ld-3的方向相對(duì)于第一槽21a的方向形成角度Θ。通過(guò)如此確定半導(dǎo)體芯片Ia的第二端部ld-2至第四端部ld_4相對(duì)于第一槽21a和第二槽21b的位置，在半導(dǎo)體芯片Ia的第一平臺(tái)11側(cè)的表面上，至少一個(gè)凸起部22的頂部22a與半導(dǎo)體芯片Ia的第二端部ld-2至第四端部ld-4接觸。因此，類似于前述解釋的半導(dǎo)體芯片Ia的第一端部ld-Ι,僅在半導(dǎo)體芯片Ia的第二端部ld_2至第四端部ld_4中的每個(gè)端部中與凸起部22的頂部22a接觸的部分處產(chǎn)生由粘附板2造成的吸引力。由粘附板2施加在半導(dǎo)體芯片Ia的第二端部ld-2至第四端部ld-4中的每個(gè)端部?jī)?nèi)的吸引力的分散開(kāi)可避免施加于半導(dǎo)體芯片Ia的粘附板2的粘著在局部變得較強(qiáng)。因此，當(dāng)由夾頭拾取半導(dǎo)體芯片Ia時(shí)，可以防止在從面 向第一槽21a和第二槽21b的部分去除粘附板2之后半導(dǎo)體芯片Ia相對(duì)于第一平臺(tái)11的上表面傾斜。為了調(diào)節(jié)半導(dǎo)體芯片Ia至第一平臺(tái)11的定位以使半導(dǎo)體芯片Ia的第一端部Id-1至第四端部ld-4中的每個(gè)端部的方向相對(duì)于第一槽21a和第二槽21b中的每個(gè)槽的方向形成規(guī)定角度Θ，僅需要例如使第一平臺(tái)11轉(zhuǎn)動(dòng)而匹配將安裝在第一平臺(tái)11上的半導(dǎo)體芯片la。在此情況下，拾取系統(tǒng)可設(shè)有檢測(cè)單元和驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)。檢測(cè)單元例如檢測(cè)在安裝于第一平臺(tái)11之前半導(dǎo)體芯片Ia的第一端部Id-1至第四端部ld-4的位置以及第一端部Id-1至第四端部ld-4中的每個(gè)的方向相對(duì)于第一槽21a和第二槽21b中的每個(gè)槽的方向所形成的角度Θ。驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)使第一平臺(tái)11繞第一平臺(tái)11的中心軸線轉(zhuǎn)動(dòng)。此外，通過(guò)使支承粘附板2的切割框3轉(zhuǎn)動(dòng)，可以調(diào)節(jié)第一端部Id-1至第四端部ld-4中的每個(gè)端部的方向相對(duì)于第一槽21a和第二槽21b中的每個(gè)槽的方向所形成的角度Θ。在此情況下，在半導(dǎo)體芯片Ia例如安裝于第一平臺(tái)11上之后，切割框3可通過(guò)設(shè)置在拾取系統(tǒng)內(nèi)的驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)來(lái)繞半導(dǎo)體晶片I (切割之前的半導(dǎo)體芯片Ia)的中心軸線轉(zhuǎn)動(dòng)。此外，在半導(dǎo)體芯片Ia通過(guò)運(yùn)送裝置安裝于第一平臺(tái)11之前，第一端部ld_l至第四端部ld-4中的每個(gè)端部的方向相對(duì)于第一槽21a和第二槽21b中的每個(gè)槽的方向所形成的角度Θ可通過(guò)使切割框3繞半導(dǎo)體晶片I的中心軸線轉(zhuǎn)動(dòng)來(lái)調(diào)節(jié)，其中，該運(yùn)送裝置將半導(dǎo)體芯片Ia運(yùn)送到拾取系統(tǒng)內(nèi)的保持平臺(tái)10。在圖6中，對(duì)安裝在第一平臺(tái)11上的半導(dǎo)體芯片Ia來(lái)進(jìn)行闡釋。然而，與半導(dǎo)體芯片Ia相鄰并且省去其說(shuō)明的其它半導(dǎo)體芯片也安裝在第一平臺(tái)11上，因而，像上述的半導(dǎo)體芯片Ia那樣，這些半導(dǎo)體芯片的每個(gè)端部的方向相對(duì)于第一槽21a和第二槽21b中的每個(gè)槽的方向形成角度Θ。在圖7(a)的剖視圖中示出半導(dǎo)體芯片Ia以經(jīng)調(diào)節(jié)的角度Θ安裝在第一平臺(tái)11上的狀態(tài)，如圖6的平面圖中所示，半導(dǎo)體芯片Ia的第一端部Id-1和第三端部ld-3中的每個(gè)端部的方向相對(duì)于第一槽21a的方向以及半導(dǎo)體芯片Ia的第二端部ld-2和第四端部ld-4中的每個(gè)端部的方向相對(duì)于第二槽21b的方向形成該角度Θ。圖7(a)示出當(dāng)保持平臺(tái)10沿與安裝于例如第一平臺(tái)11上的半導(dǎo)體芯片Ia的第一端部Id-1平行的切割線被切斷時(shí)的剖面結(jié)構(gòu)。如圖7(a)中所示，半導(dǎo)體芯片Ia以粘附板介于半導(dǎo)體芯片與第一平臺(tái)之間的狀態(tài)而安裝于第一平臺(tái)11上，由此，半導(dǎo)體芯片Ia以粘附板介于半導(dǎo)體芯片與多個(gè)突起部22的頂部22a之間的狀態(tài)而與這些頂部22a相接觸。借此，形成由粘附板2、第一平臺(tái)11的第一槽21a和第二槽21b的側(cè)壁以及第二平臺(tái)12所圍繞的閉合空間23。圖7(b)是示出留有帶肋部晶片的肋部的狀態(tài)的剖視圖。如圖7(b)中所示，第二平臺(tái)12的上表面比第一平臺(tái)11的上表面低了帶肋部晶片的肋部的厚度，以使保持平臺(tái)10可應(yīng)用于帶肋部晶片。因此，也在帶肋部晶片中，以與圖7(a)中所示的平坦半導(dǎo)體晶片相同的方式，形成由粘附板2、第一平臺(tái)11的第一槽21a和第二槽21b的側(cè)壁以及第二平臺(tái)12所圍繞的閉合空間23。接下來(lái)，將對(duì)通過(guò)根據(jù)實(shí)施例的拾取系統(tǒng)的半導(dǎo)體芯片Ia拾取方法來(lái)進(jìn)行闡釋。圖8至11是依次示出根據(jù)實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置制造系統(tǒng)的操作的剖視圖。圖8至11示出關(guān)于如圖7中所示的、安裝在保持平臺(tái)10內(nèi)的第一平臺(tái)11的上表面上的半導(dǎo)體芯片Ia中的一個(gè)。首先，如圖8中所示， 固定到切割框3的半導(dǎo)體芯片Ia以向下粘著有粘附板2的那一側(cè)的表面安裝在第一平臺(tái)11的上表面上。這使半導(dǎo)體芯片Ia處于以粘附板2介于多個(gè)凸起部22的頂部22a和半導(dǎo)體芯片之間的狀態(tài)而與這些頂部22a接觸的狀態(tài)。因此，形成由粘附板2、第一平臺(tái)11的槽21(第一槽21a和第二槽21b)的側(cè)壁和第二平臺(tái)12所圍繞的閉合空間23。此時(shí)，如前述所闡釋地，至少一個(gè)凸起部22的頂部22a與半導(dǎo)體芯片Ia的每個(gè)端部接觸。然后，通過(guò)排空裝置(未示出)，經(jīng)由氣孔14排空閉合空間23。這在粘著于半導(dǎo)體芯片Ia的粘附板2內(nèi)面向的槽21的部分內(nèi)產(chǎn)生負(fù)壓，以使粘附板2僅沿槽21的側(cè)壁變形。這樣，如圖9中所示，從半導(dǎo)體芯片Ia去除粘附板2內(nèi)面向槽21的部分，以使粘附板2處于僅在對(duì)應(yīng)于凸起部22的頂部22a的部分處粘著于半導(dǎo)體芯片Ia的狀態(tài)。這使粘附板2進(jìn)入幾乎從半導(dǎo)體芯片Ia去除的狀態(tài)，以將半導(dǎo)體芯片Ia與粘附板2之間的粘著減小到半導(dǎo)體芯片Ia和粘附板2能僅通過(guò)圖10中所示的夾頭31的吸力而彼此分離的程度。此后，如圖10中所示，通過(guò)以離開(kāi)保持于凸起部22的頂部22a上的半導(dǎo)體芯片Ia的規(guī)定間距“h”設(shè)置于半導(dǎo)體芯片Ia上方的夾頭31，吸力施加于半導(dǎo)體芯片la，以將其吸引到夾頭31。如上所述，半導(dǎo)體芯片Ia的每個(gè)端部與至少一個(gè)凸起部22的頂部22a接觸。因此，當(dāng)吸力由夾頭31施加于半導(dǎo)體芯片Ia時(shí)，沒(méi)有半導(dǎo)體芯片Ia相對(duì)于第一平臺(tái)11的上表面傾斜。半導(dǎo)體芯片Ia與粘附板2之間的粘著充分減小，這允許夾頭31和半導(dǎo)體芯片Ia之間的間距“h”等于或小于例如I毫米。這允許夾頭31僅通過(guò)夾頭31的吸力來(lái)拾取半導(dǎo)體芯片la。此外，較佳地在不將夾頭31推到半導(dǎo)體芯片Ia的情況下拾取半導(dǎo)體芯片la。由此，僅需要使夾頭31與半導(dǎo)體芯片Ia之間的間距“h”是不使夾頭31推到半導(dǎo)體芯片Ia的間距。此外，夾頭31可與半導(dǎo)體芯片Ia接觸。即，夾頭31與半導(dǎo)體芯片Ia之間的間距“h”較佳地是O毫米或以上。通過(guò)使夾頭31與半導(dǎo)體芯片Ia之間的間距“h”為O毫米或以上，諸如形成于半導(dǎo)體芯片Ia的表面上的裝置結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)可以不受損壞。此外，當(dāng)吸力由夾頭31施加于半導(dǎo)體芯片Ia時(shí)，通過(guò)排空裝置繼續(xù)對(duì)閉合空間23進(jìn)行排空。這使從半導(dǎo)體芯片Ia去除的粘附板2保持與槽21的側(cè)壁接觸。因此，當(dāng)吸力由夾頭31施加于半導(dǎo)體芯片Ia時(shí)，沒(méi)有粘附板2粘著于夾頭31。以此方式，如圖11中所示地從第一平臺(tái)11拾取半導(dǎo)體芯片la。當(dāng)拾取系統(tǒng)設(shè)有加熱裝置時(shí)，閉合空間23能在通過(guò)加熱裝置加熱粘附板2的同時(shí)通過(guò)排空裝置來(lái)排空。通過(guò)用加熱裝置來(lái)加熱粘附板2，粘附板2變得容易變形。因此，粘附板2容易沿第一平臺(tái)11內(nèi)的槽21的側(cè)壁變形，以從半導(dǎo)體芯片Ia去除。
·
接下來(lái)，將對(duì)如下結(jié)構(gòu)進(jìn)行闡釋，該結(jié)構(gòu)用于將半導(dǎo)體芯片Ia安裝于保持平臺(tái)10(驅(qū)動(dòng)裝置，下文被稱為用于實(shí)施半導(dǎo)體芯片Ia與第一平臺(tái)11的對(duì)準(zhǔn)的結(jié)構(gòu))上，以使半導(dǎo)體芯片Ia的端部的方向相對(duì)于第一平臺(tái)11的槽21的方向形成規(guī)定角度Θ?？梢允故叭∠到y(tǒng)具有第一平臺(tái)11相對(duì)于第二平臺(tái)12同心地轉(zhuǎn)動(dòng)的結(jié)構(gòu)。首先，在半導(dǎo)體芯片Ia安裝于第一平臺(tái)11上之前，使第一平臺(tái)11預(yù)先繞第一平臺(tái)11的中心軸線機(jī)械地轉(zhuǎn)動(dòng)。通過(guò)常見(jiàn)的運(yùn)送過(guò)程運(yùn)送到第一平臺(tái)11上的半導(dǎo)體芯片Ia的端部位置總是與第一平臺(tái)11的位置相同。這樣，在半導(dǎo)體芯片Ia安裝于第一平臺(tái)11上之前，使第一平臺(tái)11預(yù)先轉(zhuǎn)動(dòng)到半導(dǎo)體芯片Ia的端部的預(yù)定位置。同時(shí)，半導(dǎo)體晶片I使粘附板2通過(guò)常見(jiàn)的連結(jié)工藝以高精度(例如±3度的誤差)粘著于半導(dǎo)體晶片I。然后，半導(dǎo)體晶片I在切成單獨(dú)的半導(dǎo)體芯片Ia之后通過(guò)常見(jiàn)的運(yùn)送工藝而被運(yùn)送到第一平臺(tái)11上，同時(shí)粘著于粘附板2。如上所述，第一平臺(tái)11已預(yù)先轉(zhuǎn)動(dòng)成與半導(dǎo)體芯片Ia的端部的預(yù)定位置對(duì)準(zhǔn)。因此，僅通過(guò)藉由常見(jiàn)的運(yùn)送工藝而將半導(dǎo)體芯片Ia運(yùn)送和安裝到第一平臺(tái)11上，半導(dǎo)體芯片Ia在第一平臺(tái)11上安裝成使半導(dǎo)體芯片Ia的端部的方向相對(duì)于第一平臺(tái)11上的槽21的方向形成規(guī)定角度。因此，可以不使用專用的檢測(cè)機(jī)構(gòu)來(lái)實(shí)施半導(dǎo)體芯片Ia與第一平臺(tái)11的對(duì)準(zhǔn)。在此，將具體闡釋轉(zhuǎn)動(dòng)第一平臺(tái)11的方法。圖12是示意地示出根據(jù)實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置制造系統(tǒng)內(nèi)的拾取系統(tǒng)的立體圖。圖13示出圖12中所示的半導(dǎo)體裝置制造系統(tǒng)內(nèi)的拾取系統(tǒng)的操作的平面圖。在圖12和13中示出拾取系統(tǒng)的保持平臺(tái)10。用于僅使第一平臺(tái)11繞第一平臺(tái)11的中心軸線轉(zhuǎn)動(dòng)的拾取系統(tǒng)能設(shè)有用于使第一平臺(tái)11轉(zhuǎn)動(dòng)的、諸如電動(dòng)機(jī)(未示出)的裝置和用于控制電動(dòng)機(jī)的積分回轉(zhuǎn)數(shù)的控制回路(未示出)。第一平臺(tái)11和第二平臺(tái)12組裝成僅第一平臺(tái)11可轉(zhuǎn)動(dòng)。如圖12中所示，在第二平臺(tái)12的上表面上，設(shè)置有用于測(cè)量第一平臺(tái)11的轉(zhuǎn)動(dòng)角度的刻度17。因此，如圖13中所示，以縱向作為第一平臺(tái)11內(nèi)的槽21的方向的基準(zhǔn)，使第一平臺(tái)11繞其中心軸線沿白色箭頭42所標(biāo)示的方向轉(zhuǎn)過(guò)一規(guī)定角度。然后，半導(dǎo)體芯片Ia安裝于第一平臺(tái)11上，由黑色箭頭來(lái)標(biāo)示的半導(dǎo)體芯片Ia的端部的預(yù)定方向沿刻度17上的基準(zhǔn)方向與刻度線對(duì)準(zhǔn)。這允許實(shí)施半導(dǎo)體芯片Ia和第一平臺(tái)11的對(duì)準(zhǔn)。半導(dǎo)體芯片Ia的端部的預(yù)定方向與刻度17的基準(zhǔn)方向的對(duì)準(zhǔn)可借助諸如照相機(jī)(未示出)之類的設(shè)置在第一平臺(tái)11上方的儀器來(lái)實(shí)施。接下來(lái)，將闡釋用于使半導(dǎo)體芯片Ia與第一平臺(tái)11對(duì)準(zhǔn)的結(jié)構(gòu)的另一示例。通常，拾取系統(tǒng)設(shè)有用于獲得半導(dǎo)體芯片Ia和保持平臺(tái)10的圖像信息的圖像處理單元。因此，可以在由圖像處理單元所獲得的圖像的基礎(chǔ)上實(shí)施半導(dǎo)體芯片Ia與第一平臺(tái)11的對(duì)準(zhǔn)。在此情況下，圖像處理單元從保持平臺(tái)10上方實(shí)施對(duì)半導(dǎo)體芯片Ia和保持平臺(tái)10的圖像攝取。具體來(lái)說(shuō)，如下實(shí)施半導(dǎo)體芯片Ia和第一平臺(tái)11的對(duì)準(zhǔn)。圖14是示意地示出根據(jù)實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置制造系統(tǒng)的另一示例內(nèi)的拾取系統(tǒng)的平面圖。圖15是示出圖14中所示的半導(dǎo)體裝置制造系統(tǒng)內(nèi)的拾取系統(tǒng)的操作的平面圖。如圖14中所示，拾取系統(tǒng)還設(shè)有常見(jiàn)的運(yùn)送裝置50，該運(yùn)送裝置例如運(yùn)送半導(dǎo)體芯片Ia和圖像處理單元(未示出)。運(yùn)送裝置50例如設(shè)有保持半導(dǎo)體芯片Ia的保持單元51和改變保持單元51的位置的臂52。半導(dǎo)體晶片I在粘著于粘附板2的狀態(tài)下固定到切割框3。首先，被切成單獨(dú)的半導(dǎo)體芯片Ia的半導(dǎo)體晶片I在粘著于粘附板2的狀態(tài)下由通過(guò)運(yùn)送裝置50的保持單元51來(lái)保持。此后，通過(guò)使連接到保持單元51的臂52運(yùn)動(dòng)，將半導(dǎo)體芯片Ia運(yùn)送到第一平臺(tái)11上方的位置。然后，通過(guò)圖像處理單元，從保持平臺(tái)10上方獲取半導(dǎo)體芯片Ia和第一平臺(tái)11的圖像。由圖像處理單元獲取的圖像可以是能識(shí)別出半導(dǎo)體芯片Ia的端部的位置和第一平臺(tái)11上的槽21的縱向端部位置的那些圖像。例如，在圖15中示意地示出由圖像處理單元獲取的圖像。隨后，在由圖像處理單元所獲取的圖像的基礎(chǔ)上，獲得關(guān)于每個(gè)半導(dǎo)體芯片Ia的端部的位置和每個(gè)槽21的縱向端部的位置的信息。然后，如圖15中所示，在所獲得的關(guān)于位置的信息的基礎(chǔ)上，補(bǔ)償與 半導(dǎo)體芯片Ia的端部的方向與槽21的方向形成的規(guī)定角度Θ偏離的偏差角度α。具體來(lái)說(shuō)，通過(guò)使半導(dǎo)體芯片Ia借助運(yùn)送裝置如白色箭頭53所示地繞其中心軸線轉(zhuǎn)動(dòng)來(lái)補(bǔ)償偏差角度。此后，通過(guò)運(yùn)送裝置50，半導(dǎo)體晶片I安裝于固定的第一平臺(tái)11上。這使半導(dǎo)體芯片Ia安裝成其端部的方向相對(duì)于第一平臺(tái)11上的縱向槽21形成規(guī)定角度Θ。在由圖像處理單元所獲得的圖像的基礎(chǔ)上實(shí)施半導(dǎo)體芯片Ia和第一平臺(tái)11的對(duì)準(zhǔn)的拾取系統(tǒng)內(nèi)，可以在不使半導(dǎo)體芯片Ia轉(zhuǎn)動(dòng)的情況下使第一平臺(tái)11預(yù)先轉(zhuǎn)動(dòng)。在此情況下，可以通過(guò)常見(jiàn)的運(yùn)送工藝來(lái)實(shí)施半導(dǎo)體芯片Ia與第一平臺(tái)11的對(duì)準(zhǔn)。此外，除了在用于使半導(dǎo)體芯片Ia和第一平臺(tái)11對(duì)準(zhǔn)的前述示例外，在例如常見(jiàn)的運(yùn)送工藝中，切割框3總是安裝于相對(duì)于第一平臺(tái)11來(lái)說(shuō)相同的位置。因此，在半導(dǎo)體芯片Ia粘著于粘附板2和切割框3、以使半導(dǎo)體芯片Ia的端部方向和第一平臺(tái)11的槽21的方向形成規(guī)定角度Θ之后，半導(dǎo)體芯片Ia能通過(guò)常見(jiàn)的運(yùn)送工藝來(lái)安裝于第一平臺(tái)11上。還在此情況下，可以僅通過(guò)常見(jiàn)的運(yùn)送工藝來(lái)實(shí)施半導(dǎo)體芯片Ia和第一平臺(tái)11的對(duì)準(zhǔn)。如前所述，根據(jù)實(shí)施例，半導(dǎo)體芯片Ia在第一平臺(tái)11上安裝成使第一端部Id-1和第三端部ld-3中的每個(gè)端部的方向以及第二端部ld-2和第四端部ld-4中的每個(gè)端部的方向分別相對(duì)于每個(gè)第一槽21a的方向和每個(gè)第二槽21b的方向形成規(guī)定角度Θ。這使得在具有矩形平坦形狀的半導(dǎo)體芯片Ia的第一平臺(tái)11側(cè)的表面上，至少一個(gè)凸起部22的頂部22a在粘附板2介于該頂部和與半導(dǎo)體芯片之間的狀態(tài)下與半導(dǎo)體芯片Ia的第一端部Id-1至第四端部ld-4中的至少一個(gè)端部接觸。因此，由粘附板2和槽21的側(cè)壁圍繞的閉合空間23由排空裝置來(lái)排空。由此，當(dāng)從半導(dǎo)體芯片Ia去除粘附板2的面向槽21的部分時(shí)，在半導(dǎo)體芯片Ia的第一平臺(tái)11側(cè)，在第一端部Id-1至第四端部ld-4中的每個(gè)端部?jī)?nèi)產(chǎn)生有粘著于粘附板2的部分和不粘著于粘附板2的部分。因此，當(dāng)通過(guò)吸引裝置將吸力施加于半導(dǎo)體芯片Ia時(shí)，使由粘附板2施加以朝著第一平臺(tái)11側(cè)吸引半導(dǎo)體芯片Ia的第一端部Id-1至第四端部ld-4中的每個(gè)端部的吸力分散開(kāi)。因此，當(dāng)吸力通過(guò)吸引裝置施加于半導(dǎo)體芯片Ia時(shí)，沒(méi)有半導(dǎo)體芯片Ia處于相對(duì)于第一平臺(tái)11傾斜的狀態(tài)。這可防止半導(dǎo)體芯片Ia由于半導(dǎo)體芯片Ia相對(duì)于第一平臺(tái)11傾斜而造成的碎斷和刮擦。因此，能從粘附板2去除半導(dǎo)體芯片la，從而以高品質(zhì)狀態(tài)來(lái)拾取半導(dǎo)體芯片。根據(jù)上述的本發(fā)明，借助排空裝置對(duì)由粘附板2、第一平臺(tái)11的槽21的側(cè)壁和第二平臺(tái)12所圍繞的閉合空間23的排空使粘附板2面向槽21的部分從半導(dǎo)體芯片Ia去除，由此，半導(dǎo)體芯片Ia僅由多個(gè)頂部22a在粘附板2介于半導(dǎo)體芯片和頂部之間的狀態(tài)下保持。這可以將半導(dǎo)體芯片Ia和粘附板2之間的粘附減小到允許半導(dǎo)體芯片Ia僅通過(guò)吸引裝置的吸力來(lái)拾取的程度。因此，半導(dǎo)體芯片Ia能確定地從粘附板2去除，以被拾取。此夕卜，由于半導(dǎo)體芯片Ia與粘附板2之間的粘附可減小到允許半導(dǎo)體芯片Ia僅通過(guò)吸引裝置的吸力來(lái)拾取的程度，當(dāng)半導(dǎo)體芯片Ia由吸引裝置拾取時(shí)，無(wú)須實(shí)施通過(guò)諸如在現(xiàn)有方法中的針之類的工具來(lái)向上推動(dòng)半導(dǎo)體芯片Ia的過(guò)程。因此，可以防止半導(dǎo)體芯片Ia的頂面被諸如針的工具刮擦。因此，半導(dǎo)體芯片Ia能從粘附板2去除，從而在高品質(zhì)狀態(tài)下被拾取。此外，根據(jù)上述的本發(fā)明，半導(dǎo)體芯片Ia與粘附板2之間的粘附可減小到允許半導(dǎo)體芯片Ia僅通過(guò)吸引裝置的吸力來(lái)拾取的程度。因此，在不將夾頭31推到半導(dǎo)體芯片Ia上的情況下，可以通過(guò)夾頭31的吸力來(lái)可靠地拾取半導(dǎo)體芯片la。這樣，第一平臺(tái)11上的半導(dǎo)體芯片Ia能被拾取，而半導(dǎo)體芯片Ia相對(duì)于第一平臺(tái)11不傾斜，并且不造成半 導(dǎo)體芯片Ia碎斷或裂開(kāi)。這使得可以通過(guò)根據(jù)實(shí)施例的拾取系統(tǒng)來(lái)拾取變薄的半導(dǎo)體芯片la，由此能可靠地運(yùn)送半導(dǎo)體芯片la。在前面，用具有設(shè)置成第一平臺(tái)內(nèi)網(wǎng)格狀的第一槽和第二槽的結(jié)構(gòu)作為示例來(lái)闡釋本發(fā)明。然而，本發(fā)明不限于前述的實(shí)施例，而是可以設(shè)有半導(dǎo)體芯片能安裝在第一平臺(tái)上以使半導(dǎo)體芯片的端部方向與槽的方向形成規(guī)定角度的結(jié)構(gòu)。例如，能設(shè)置僅第一槽設(shè)置成條狀結(jié)構(gòu)。此外，還在諸如底面電極的電極在粘附板粘著到變薄的半導(dǎo)體晶片的底面上之前形成于變薄半導(dǎo)體晶片的底面?zhèn)壬系那闆r下，本發(fā)明能提供相同的優(yōu)點(diǎn)。如前述所闡釋地，當(dāng)從粘附板拾取經(jīng)受切割、從而分成單獨(dú)的半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體芯片時(shí)，該半導(dǎo)體裝置制造方法和半導(dǎo)體裝置制造系統(tǒng)是有用的。盡管已參照本發(fā)明的較佳實(shí)施例特別地示出和描述了本發(fā)明，但熟悉本領(lǐng)域的人們會(huì)理解，可在其中對(duì)形式和細(xì)節(jié)作出前述和其它的修改而不會(huì)脫離本發(fā)明的精神和范圍。
權(quán)利要求
1.一種用于從粘附板拾取半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體裝置制造方法，所述半導(dǎo)體芯片通過(guò)借助切割來(lái)切斷粘著于所述粘附板的半導(dǎo)體晶片來(lái)形成，所述方法包括如下步驟 準(zhǔn)備平臺(tái)，所述平臺(tái)具有位于其上表面上的多個(gè)槽、排空裝置和將吸カ施加于所述半導(dǎo)體芯片的吸引裝置； 將半導(dǎo)體芯片安裝在所述平臺(tái)上，以使所述半導(dǎo)體芯片的端部的方向相對(duì)于所述平臺(tái)上的所述槽的方向形成規(guī)定角度，而使所述半導(dǎo)體芯片的粘著有粘附板的表面?zhèn)任挥谒銎脚_(tái)側(cè)； 使半導(dǎo)體芯片保持在頂部上，而所述粘附板介于所述頂部和所述半導(dǎo)體芯片之間，所述頂部由所述平臺(tái)上的所述槽的開(kāi)ロ側(cè)上的端部來(lái)構(gòu)成，而由與所述平臺(tái)接觸的所述粘附板和所述平臺(tái)上的所述槽圍繞的空間通過(guò)排空裝置來(lái)排空；以及 由所述吸引裝置將吸カ施加于保持在所述頂部處的所述半導(dǎo)體芯片，以拾取所述半導(dǎo)體芯片。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置制造方法，其特征在于，在安裝所述半導(dǎo)體芯片的步驟中，將所述半導(dǎo)體芯片安裝在所述平臺(tái)上，以使在所述半導(dǎo)體芯片的平臺(tái)側(cè)表面上，所述頂部與所述半導(dǎo)體芯片的作為所述端部中的一個(gè)端部的至少ー側(cè)接觸。
3.如權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置制造方法，其特征在于，在保持所述半導(dǎo)體芯片的步驟中，所述空間被排空以使粘著于所述半導(dǎo)體芯片的所述粘性板變形成沿所述槽的側(cè)壁來(lái)粘附，由此，使所述半導(dǎo)體芯片保持在頂部處。
4.如權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置制造方法，其特征在于，在保持所述半導(dǎo)體芯片的步驟中，所述空間被排空到所述半導(dǎo)體芯片的與所述粘附板接觸的部分僅是對(duì)應(yīng)于所述頂部的部分的程度，由此使所述半導(dǎo)體芯片保持在所述頂部處。
5.一種用于從粘附板拾取半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體裝置制造系統(tǒng)，所述半導(dǎo)體芯片通過(guò)借助切割來(lái)切斷粘著于粘附板的半導(dǎo)體晶片來(lái)形成，所述系統(tǒng)包括 安裝有所述半導(dǎo)體芯片的平臺(tái)，所述平臺(tái)具有多個(gè)槽和至少ー個(gè)氣孔，所述多個(gè)槽以規(guī)定的間隔形成于所述平臺(tái)的安裝有所述半導(dǎo)體芯片的表面上，而所述至少ー個(gè)氣孔形成于所述平臺(tái)內(nèi)，以連接到所述槽中的至少ー個(gè)槽； 頂部，所述頂部由所述槽的開(kāi)ロ側(cè)上的端部來(lái)構(gòu)成，以在所述粘附板介于所述頂部和所述半導(dǎo)體芯片之間的狀態(tài)下將所述半導(dǎo)體芯片保持在所述頂部上； 用于經(jīng)由所述氣孔排空空間的排空裝置，所述空間由粘著于安裝在所述平臺(tái)上的所述半導(dǎo)體芯片的所述平臺(tái)側(cè)表面的所述粘附板和平臺(tái)上所具有的所述槽所圍繞；以及 吸引裝置，所述吸引裝置將吸カ施加于所述半導(dǎo)體芯片，以拾取通過(guò)由所述排空裝置來(lái)排空所述空間而僅保持在所述頂部處的所述半導(dǎo)體芯片， 所述半導(dǎo)體芯片安裝在所述平臺(tái)上，以使所述半導(dǎo)體芯片的端部的方向相對(duì)于所述槽的方向形成規(guī)定角度，而使所述半導(dǎo)體芯片的粘著有所述粘附板的表面?zhèn)任挥谒銎脚_(tái)偵れ
6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置制造系統(tǒng)，其特征在干，所述半導(dǎo)體芯片安裝在所述平臺(tái)上，從而，在所述半導(dǎo)體芯片的所述平臺(tái)側(cè)表面上，所述頂部與所述半導(dǎo)體芯片的作為所述端部中的一個(gè)端部的至少ー側(cè)接觸。
7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置制造系統(tǒng)，其特征在于，在所述頂部上設(shè)置與所述半導(dǎo)體芯片面接觸的平面。
8.如權(quán)利要求5至7中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置制造系統(tǒng)，其特征在于，所述排空裝置排空所述空間，以使粘著于所述半導(dǎo)體芯片的所述粘附板變形成沿所述槽的所述側(cè)壁來(lái)粘著。
9.如權(quán)利要求5至8中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置制造系統(tǒng)，其特征在于，所述排空裝置將所述空間排空到所述半導(dǎo)體芯片的與所述粘附板相接觸的每個(gè)接觸部分的尺寸僅僅是對(duì)應(yīng)于所述頂部的部分的尺寸的程度。
10.一種用于從粘附板拾取半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體裝置制造系統(tǒng)，所述半導(dǎo)體芯片通過(guò)借助切割來(lái)切斷粘著于粘附板的半導(dǎo)體晶片來(lái)形成，所述系統(tǒng)包括安裝有所述半導(dǎo)體芯片的平臺(tái)，所述平臺(tái)具有多個(gè)槽和至少一個(gè)氣孔，所述多個(gè)槽以規(guī)定的間隔形成于所述平臺(tái)的安裝有所述半導(dǎo)體芯片的表面上，而所述至少一個(gè)氣孔形成于所述平臺(tái)內(nèi)，以連接到所述槽中的至少一個(gè)槽；頂部，所述頂部由所述槽的開(kāi)口側(cè)上的端部來(lái)構(gòu)成，以在所述粘附板介于所述頂部和所述半導(dǎo)體芯片之間的狀態(tài)下將所述半導(dǎo)體芯片保持在所述頂部上；用于經(jīng)由所述氣孔排空空間的排空裝置，所述空間由粘著于安裝在所述平臺(tái)上的所述半導(dǎo)體芯片的所述平臺(tái)側(cè)表面的所述粘附板和所述平臺(tái)上所具有的槽所圍繞；吸引裝置，所述吸引裝置將吸力施加于所述半導(dǎo)體芯片，以拾取通過(guò)由所述排空裝置來(lái)排空所述空間而僅保持在所述頂部處的所述半導(dǎo)體芯片，以及驅(qū)動(dòng)裝置，所述驅(qū)動(dòng)裝置使所述平臺(tái)和所述半導(dǎo)體芯片中的一個(gè)轉(zhuǎn)動(dòng)，以在將所述半導(dǎo)體芯片安裝在所述平臺(tái)上時(shí)，使所述半導(dǎo)體芯片的端部的方向相對(duì)于所述槽的方向形成規(guī)定角度。
全文摘要
拾取系統(tǒng)的保持平臺(tái)(10)包括第一平臺(tái)(11)、支承第一平臺(tái)(11)的第二平臺(tái)(12)和排空管路(13)，半導(dǎo)體芯片(1a)在粘附板(2)介于第一平臺(tái)和半導(dǎo)體芯片之間的狀態(tài)下安裝于第一平臺(tái)上。第一平臺(tái)(11)設(shè)有多個(gè)槽(21)、凸起部(22)和連接到槽(21)的氣孔(14)，每個(gè)凸起部由相鄰槽(21)的側(cè)壁來(lái)形成。在拾取系統(tǒng)中，半導(dǎo)體芯片(1a)安裝于第一平臺(tái)(11)上，以使半導(dǎo)體芯片(1a)的整個(gè)端部不定位在一個(gè)槽(21)上。然后，由粘附板(2)和第一平臺(tái)(11)和第二平臺(tái)(12)圍繞的閉合空間(23)被排空，以使半導(dǎo)體芯片(1a)保持在凸起部(22)上。此后，通過(guò)夾頭來(lái)拾取半導(dǎo)體芯片(1a)。這提供半導(dǎo)體裝置制造方法和半導(dǎo)體裝置制造系統(tǒng)，它們都能使半導(dǎo)體芯片(1a)從粘附板(2)移除，并以高品質(zhì)狀態(tài)來(lái)拾取該半導(dǎo)體芯片。
文檔編號(hào)H01L21/67GK103050428SQ20121038278
公開(kāi)日2013年4月17日 申請(qǐng)日期2012年10月10日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月14日
發(fā)明者田中陽(yáng)子 申請(qǐng)人:富士電機(jī)株式會(huì)社