技術(shù)編號：7109122
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。晶體管電路布局結(jié)構(gòu)本發(fā)明大致上關(guān)于一種新穎的晶體管電路布局結(jié)構(gòu)。特別是，本發(fā)明關(guān)于一種除了位元線與字元線以外，能夠容納更多用來控制晶體管的電路的布局結(jié)構(gòu)。背景技術(shù)晶體管結(jié)構(gòu)是一種由柵極以及至少兩組的摻雜區(qū)，各別作為漏極(source)或源極 (drain)之用，所組成的金屬氧化物半導(dǎo)體(metal oxide semiconductor, M0S)。金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管由電連接至柵極的字元線(wordline)來控制整個晶體管的開關(guān)。MOS晶體管的源極又...
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