技術(shù)編號(hào)：7107682
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件以及制造半導(dǎo)體器件的方法。背景技術(shù)在諸如水平功率MISFET的半導(dǎo)體元件的領(lǐng)域中，需要增大漏極耐壓。根據(jù)當(dāng)在關(guān)斷柵極電壓的情況下連續(xù)向漏電極施加額定電壓時(shí)，在半導(dǎo)體元件中是否出現(xiàn)特性變化或擊穿現(xiàn)象來(lái)評(píng)價(jià)漏極耐壓。當(dāng)向漏電極施加電壓時(shí)在半導(dǎo)體元件中出現(xiàn)的特性變化或擊穿現(xiàn)象是由于施加漏極電壓而造成半導(dǎo)體元件中的電場(chǎng)集中引起的。這種電場(chǎng)集中容易出現(xiàn)在柵電極的漏極側(cè)端部下方。例如，通過(guò)使用場(chǎng)板電極，可以減少由于施加漏極電壓而在半導(dǎo)體元件中出現(xiàn)的...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。