技術(shù)編號(hào)：7106406
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造，尤其涉及一種。背景技術(shù)在目前的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中，集成電路產(chǎn)品主要可分為三大類型模擬電路、數(shù)字電路和數(shù)/模混合電路，其中存儲(chǔ) 器件是數(shù)字電路中的一個(gè)重要類型。近年來，在存儲(chǔ)器件中，閃存(flash memory)的發(fā)展尤為迅速。閃存的主要特點(diǎn)是在不加電的情況下能長(zhǎng)期保持存儲(chǔ)的信息；且具有集成度高、存取速度快、易于擦除和重寫等優(yōu)點(diǎn)，因而在微機(jī)、自動(dòng)化控制等多項(xiàng)領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用?，F(xiàn)有技術(shù)中，閃存的存儲(chǔ)單元請(qǐng)參考圖1，包括半導(dǎo)體襯底100 ;...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。