技術(shù)編號(hào)：7105946
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種使用了氧化物半導(dǎo)體膜作為有源層的薄膜器件如氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管，及其制備方法。在下文中，將薄膜晶體管稱為“TFT”，且將主要由銦(In)、鎵(Ga)、鋅(Zn)、和氧(O)構(gòu)成的氧化物半導(dǎo)體稱為“ IGZO (In-Ga-Zn-O) ”。背景技術(shù)關(guān)于在其中使用含銦的氧化物半導(dǎo)體作為有源層的TFT，其場效應(yīng)遷移率要比常規(guī)非晶硅TFT的場效應(yīng)遷移率高約一位數(shù)。而且，該氧化物半導(dǎo)體膜的帶隙在3eV以上，所以它對(duì)可見光是透明的。因此，使用該氧化物半...
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