技術(shù)編號：7105484
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種改善在襯底的化學(xué)連續(xù)式處理過程中去除含有反應(yīng)氣體的空氣的設(shè)備及方法。背景技術(shù)在現(xiàn)有技術(shù)的狀態(tài)下，公知用于扁平物體的濕法化學(xué)蝕刻的連續(xù)式設(shè)備。這樣的物體例如是半導(dǎo)體和太陽能電池生產(chǎn)中使用的硅襯底。對于某些工藝步驟，這種襯底的僅僅單側(cè)濕法化學(xué)處理是期望的。在此處理過程中，僅僅襯底的一側(cè)進(jìn)行處理，而另一側(cè)仍然保持原始狀態(tài)。一般地，這種處理在濕法化學(xué)設(shè)備中實施，其中，襯底通過處理液或沿其表面?zhèn)魉汀?從現(xiàn)有技術(shù)中已知各種用于單側(cè)濕法蝕刻處理的方法。根據(jù)...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。