技術(shù)編號：7104618
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于電子，具體涉及一種擊穿電壓可以調(diào)整RF-LDMOS器件。背景技術(shù)LDMOS(橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體)器件與晶體管相比，在關(guān)鍵的器件特性方面，如增益、線性度、開關(guān)性能、散熱性能以及減少級數(shù)等方面優(yōu)勢很明顯，能夠?qū)崿F(xiàn)高的增益和高的擊穿電壓，因此其被廣泛的用于DC-DC轉(zhuǎn)換的開關(guān)管和射頻功率放大器上面。LDMOS的結(jié)構(gòu)設(shè)計中，如果減少LDMOS的柵長，可以提高LDMOS的截止頻率，從而能夠讓LDMOS工作在更高的頻率。同樣，較小的柵長能夠減小LDMO...
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