技術(shù)編號：7102995
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體功率器件，確切地說涉及一種具有延伸介質(zhì)槽和槽柵結(jié)構(gòu)的低功耗半導(dǎo)體功率器件的制造方法。背景技術(shù)功率MOSFET是多子導(dǎo)電型器件，具有輸入阻抗高、頻率高、導(dǎo)通電阻具有正溫度系數(shù)等諸多優(yōu)點。這些優(yōu)點使其在功率電子領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用，大大提高了電子系統(tǒng)的 效率。器件耐高壓需要漂移區(qū)較長且漂移區(qū)摻雜濃度低。然而，隨著漂移區(qū)長度的增加和摻雜濃度的降低，導(dǎo)致器件的導(dǎo)通電阻(及供)增加，開態(tài)功耗增大。器件導(dǎo)通電阻兄《與擊穿電壓BV存在如下關(guān)系即Lur25。...
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