技術(shù)編號(hào)：7102848
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明的示例性實(shí)施例涉及一種半導(dǎo)體器件，更具體而言，涉及一種具有掩埋位線的半導(dǎo)體器件及其制造方法。背景技術(shù)大多數(shù)半導(dǎo)體器件包括晶體管。例如，在諸如DRAM的存儲(chǔ)器件中，存儲(chǔ)器單元包括MOSFET。一般而言，在MOSFET中，源極/漏極區(qū)域形成在半導(dǎo)體襯底的表面，并且在這樣的布置下，在源極區(qū)域與漏極區(qū)域之間形成平面溝道。這種通常的MOSFET稱作為平面溝道晶體管。隨著存儲(chǔ)器件的集成和性能方面的進(jìn)步，MOSFET制造將達(dá)到物理極限。例如，隨著存儲(chǔ)器單元尺寸的縮...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。