技術編號：7101262
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明是一種用于制造耐中壓N型系列(耐壓600V，導通電流在I安培到15安培)VDMOS工藝方法，屬于半導體制成。 背景技術VDMOS 的全稱是 Vertical conduction double-diffused metal oxidesemiconductor,即垂直雙擴散金屬氧化物半導體場效應晶體管，是在1979年由H. ff. Collins等人提出的。VDMOS晶體管經過30余年的發(fā)展，目前已經取得了長足的進步。他以高的輸入阻抗、低的導通電阻和...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。