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一種制備雙層隔離混合晶向應(yīng)變硅納米線cmos方法技術(shù)資料下載

技術(shù)編號(hào):7098827

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本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件制造領(lǐng)域,尤其涉及一種雙層隔離混合晶向應(yīng)變硅納米線CMOS制備方法。背景技術(shù)通過縮小晶體管的尺寸來提高芯片的工作速度和集成度、減小芯片功耗密度一直是微電子工業(yè)發(fā)展所追求的目標(biāo)。在過去的四十年里,微電子工業(yè)發(fā)展一直遵循著摩爾定律。當(dāng)前的場(chǎng)效應(yīng)晶體管的物理柵長(zhǎng)已接近20nm,柵介質(zhì)也僅有幾個(gè)氧原子層厚,通過縮小傳統(tǒng)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的尺寸來提高性能已面臨一些困難,這主要是因?yàn)樾〕叽缦露虦系佬?yīng)和柵極漏電流使晶體管的開關(guān)性能變壞。納米線場(chǎng)效應(yīng)晶體管...
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