技術(shù)編號：7098134
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制作領(lǐng)域，尤其涉及一種SRAM存儲器及其形成方法。背景技術(shù)靜態(tài)隨機存儲器(Static Random Access Memory, SRAM)作為揮發(fā)性存儲器中的一員，具有高速度、低功耗與標準工藝相兼容等優(yōu)點，廣泛應(yīng)用于PC、個人通信、消費電子產(chǎn)品(智能卡、數(shù)碼相機、多媒體播放器)等領(lǐng)域。圖I為現(xiàn)有6T結(jié)構(gòu)的SRAM存儲器的存儲單元的電路結(jié)構(gòu)示意圖，所述存儲單元 包括第一PMOS晶體管P1、第二PMOS晶體管P2、第一NMOS晶體管NI、第...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。