技術(shù)編號(hào):7089606
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實(shí)用新型公開(kāi)了一種減小輸入電容的VDMOS器件結(jié)構(gòu),包括N+型襯底,位于N+型襯底上的N型襯底外延層,以及位于N型襯底外延層上的元胞;N型襯底外延層的表面上包括相互平行的若干個(gè)條形源電極以及夾在條形源電極之間的柵電極;所述的柵電極柵氧化層上的多晶硅層為彼此分開(kāi)的兩個(gè)條形結(jié)構(gòu),多晶硅層上覆蓋有用于隔離柵電極與源電極的鈍化層。本實(shí)用新型挖掉了部分多晶硅,使多晶硅層成為彼此分開(kāi)的兩個(gè)條形結(jié)構(gòu),由于去掉了漂移區(qū)上的多晶硅,使得柵電極的面積減小,因而減少了寄生電容...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。