技術(shù)編號：7086312
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實(shí)用新型所述高耐壓LDMOS器件，包括具備第一摻雜類型的外延層及位于外延層上具備第二摻雜類型的源區(qū)和漏區(qū)，漏區(qū)靠近源區(qū)一側(cè)為具備第二摻雜類型但摻雜濃度低于漏區(qū)的漂移區(qū)，漂移區(qū)與源區(qū)之間為第一摻雜類型的溝道區(qū)，所述溝道區(qū)上方設(shè)置有柵絕緣層和柵極，所述漂移區(qū)和溝道區(qū)下方還有具備第二摻雜類型且摻雜濃度高于漂移區(qū)的埋層，所述埋層與漂移區(qū)底部接觸。本實(shí)用新型所述的高耐壓LDMOS器件，通過埋層設(shè)置在漂移區(qū)和溝道區(qū)交界處構(gòu)建二維電場，分散了漂移區(qū)表面的電場分布，從而...
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