技術(shù)編號：7083264
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本實用新型公開一種大功率肖特基勢壘器件，位于所述單晶硅外延層上部并開口于所述單晶硅外延層上表面的溝槽，其特征在于所述溝槽四壁均具有第一二氧化硅氧化層，一導(dǎo)電多晶硅體嵌入所述溝槽內(nèi)，位于導(dǎo)電多晶硅體中下部的多晶硅中下部位于溝槽內(nèi)且與單晶硅外延層之間設(shè)有所述第一二氧化硅氧化層，位于導(dǎo)電多晶硅體上部的多晶硅上部位于上金屬層內(nèi)，位于單晶硅外延層內(nèi)的上部區(qū)域且位于所述溝槽上部外側(cè)四周具有第二導(dǎo)電類型摻雜區(qū)，第二導(dǎo)電類型摻雜區(qū)與單晶硅外延層的接觸面為弧形面，所述第二導(dǎo)...
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