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技術(shù)編號(hào)：7074810

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本發(fā)明涉及在漂移層中具備超級(jí)結(jié)構(gòu)造的功率用半導(dǎo)體裝置。 背景技術(shù)功率用半導(dǎo)體裝置一般具有在縱方向上流過電流的縱型構(gòu)造，與高耐壓化一起要求低功耗化。作為功率用半導(dǎo)體裝置,例如,有MOSFET(Metal Oxide Semiconductor FieldEffect Transistor,金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)、IGBT (Insulated Gate BipolarTransistor,絕緣柵雙極晶體管)、以及 IEGT (Injection En...
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