技術(shù)編號：7065423
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開了。所述襯底自下而上依次為Si襯底、TiN單晶籽晶層、金屬氧化物單晶薄膜層、銥單晶薄膜層。本發(fā)明設(shè)計并制備了一種可異質(zhì)外延生長大尺寸單晶金剛石的疊層，特別地，在其中插入了TiN單晶籽晶層作為外延模板和過渡緩沖層，提高了氧化物及整個襯底外延層的晶向的取向一致度及生長質(zhì)量，從而為生長高質(zhì)量大尺寸單晶金剛石提供了可能；本發(fā)明由于使用了TiN緩沖層，整個外延疊層結(jié)構(gòu)可以基于Si襯底進(jìn)行，使得外延成本大大地降低，同時基于Si襯底生長金剛石，可以更好地與電子...
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