技術(shù)編號(hào):7063688
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明提供一種,利用柵極兩側(cè)的兩層側(cè)墻,先后進(jìn)行兩次刻蝕來形成階梯狀的第二凹槽,且第二次刻蝕使得凹槽更接近于溝道,同時(shí)無需經(jīng)歷后續(xù)的第一側(cè)墻移除制程,從而在器件源/區(qū)形成的階梯狀嵌入式鍺硅的形貌更佳,且更接近溝道區(qū),具有更大的溝道區(qū)有效應(yīng)力。進(jìn)一步在第一凹槽形成之后、第二凹槽形成之前,對(duì)半導(dǎo)體襯底熱處理或者氧化處理來優(yōu)化第二凹槽的形狀,使得后續(xù)外延生長的鍺硅更加接近于溝道。專利說明 [0001] 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,尤其涉及一種。 背景技術(shù) ...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。