技術(shù)編號：7061408
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明屬于太陽能電池領(lǐng)域，具體涉及。背景技術(shù)工業(yè)化生產(chǎn)晶體硅太陽電池的流程為表面去損傷層及制絨、擴散制PN結(jié)、周邊刻蝕及去PSG、PECVD沉積SiN減反射膜、絲網(wǎng)印刷金屬漿料及燒結(jié)、測試分選。配合制絨添加劑的使用、高方阻細柵密柵工藝、漸變鍍膜工藝技術(shù)、新型金屬漿料的使用，目前工業(yè)化生產(chǎn)的多晶硅太陽電池平均轉(zhuǎn)換效率接近17%，單晶硅太陽電池在18%以上。為進一步提高晶體硅太陽電池的轉(zhuǎn)換效率水平，仍有幾種新技術(shù)在研發(fā)或者正逐步進入工業(yè)化生產(chǎn)， 例如選擇性發(fā)射...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。