專利名稱：一種晶體硅太陽(yáng)電池背面鈍化介質(zhì)層局部刻蝕方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于太陽(yáng)能電池領(lǐng)域，具體涉及一種晶體硅太陽(yáng)電池背面鈍化介質(zhì)層局部刻蝕方法。
背景技術(shù)：
工業(yè)化生產(chǎn)晶體硅太陽(yáng)電池的流程為表面去損傷層及制絨、擴(kuò)散制PN結(jié)、周邊刻蝕及去PSG、PECVD沉積SiN減反射膜、絲網(wǎng)印刷金屬漿料及燒結(jié)、測(cè)試分選。配合制絨添加劑的使用、高方阻細(xì)柵密柵工藝、漸變鍍膜工藝技術(shù)、新型金屬漿料的使用，目前工業(yè)化生產(chǎn)的多晶硅太陽(yáng)電池平均轉(zhuǎn)換效率接近17%，單晶硅太陽(yáng)電池在18%以上。為進(jìn)一步提高晶體硅太陽(yáng)電池的轉(zhuǎn)換效率水平，仍有幾種新技術(shù)在研發(fā)或者正逐步進(jìn)入工業(yè)化生產(chǎn)， 例如選擇性發(fā)射極技術(shù)、背接觸技術(shù)、背面鈍化技術(shù)、N型太陽(yáng)電池等。選擇性發(fā)射極技術(shù)已有設(shè)備供應(yīng)商提供規(guī)?；a(chǎn)的設(shè)備或材料，如khmidz的掩膜反腐蝕方案、Involight 的硅墨方案，而且有幾家公司已經(jīng)在量產(chǎn)。背面鈍化技術(shù)被認(rèn)為是接下來(lái)最有可能實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的新技術(shù)之一。作為背面鈍化層的薄膜有Si02/SiN和Al203/SiN薄膜體系。熱氧化生長(zhǎng)的SW2薄膜具有良好的表面鈍化效果，在半導(dǎo)體工藝技術(shù)中有重要應(yīng)用。用Al203/SiN作為背面鈍化層，最近受到很大關(guān)注。研究發(fā)現(xiàn)ALD或者PECVD生長(zhǎng)的Al2O3薄膜在退火之后，其固定負(fù)電荷的密度可達(dá)1013/Cm2以上。用Al2O3薄膜代替鋁背場(chǎng)，對(duì)P型硅片具有更好的場(chǎng)鈍化效果，可以提高晶體硅太陽(yáng)電池在長(zhǎng)波段的光譜響應(yīng)。而且在硅片背面沉積Al203/SiN介質(zhì)層可以提高紅外光在硅片背面的反射率，增加長(zhǎng)波段的利用率。SiN薄膜的引入主要是為了保護(hù)SiO2或者Al2O315雖然 ALD生長(zhǎng)的Al2O3薄膜質(zhì)量最佳，但這種技術(shù)生長(zhǎng)緩慢，并不適合規(guī)?；a(chǎn)。最近用PECVD 技術(shù)實(shí)現(xiàn)A1203薄膜的快速生長(zhǎng)，使得背面鈍化技術(shù)的工業(yè)化應(yīng)用向前邁出了關(guān)鍵一步。 小批量實(shí)驗(yàn)研究發(fā)現(xiàn)Al203/SiN介質(zhì)層背面鈍化技術(shù)能夠?qū)⒍嗑Ч杼?yáng)電池的轉(zhuǎn)換效率提高0.4%以上。對(duì)于N型太陽(yáng)電池，同樣也存在P型層表面的鈍化。采用的鈍化膜有Si02/SiN和 Al203/SiN 兩種。完整的背面鈍化技術(shù)還包括鋁金屬層與晶體硅太陽(yáng)電池背面的局部接觸，已提出的實(shí)現(xiàn)這種局部接觸的技術(shù)有利用激光將鈍化介質(zhì)層局部剝除，后續(xù)采用常規(guī)的絲網(wǎng)印刷和燒結(jié)工藝；先采用常規(guī)的絲網(wǎng)印刷和燒結(jié)工藝，再進(jìn)行激光局部加熱燒結(jié)；正面和背面噴涂石蠟掩膜，在HF、HNO3溶液中局部腐蝕鈍化介質(zhì)層，用有機(jī)溶劑溶解剝離石蠟掩膜層，后續(xù)采用常規(guī)的絲網(wǎng)印刷和燒結(jié)工藝。對(duì)于激光加工方案，一方面激光設(shè)備昂貴，工藝窗口比較狹小，穩(wěn)定性和成熟性還有待進(jìn)一步驗(yàn)證。另一方面背面局部接觸點(diǎn)數(shù)量眾多，以 156mmX 156mm尺寸、局部接觸點(diǎn)相距0. 8mm計(jì)算，接觸點(diǎn)數(shù)為36960，因而對(duì)激光器的壽命是一很大挑戰(zhàn)；對(duì)于石蠟掩膜方案，同樣有石蠟噴涂設(shè)備昂貴的缺點(diǎn)
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種晶體硅太陽(yáng)電池背面鈍化介質(zhì)層局部刻蝕方法，該方法通過(guò)在晶體硅片背面的鈍化介質(zhì)層上印刷局部刻蝕漿料，并將晶體硅片進(jìn)行中高溫處理使局部刻蝕漿料刻蝕掉位于其下方的鈍化介質(zhì)層，并通過(guò)酸液去除掉局部刻蝕漿料，該方法工藝簡(jiǎn)單，成本低廉，不需要使用昂貴的儀器和設(shè)備。本發(fā)明的上述目的是通過(guò)如下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)的一種晶體硅太陽(yáng)電池背面鈍化介質(zhì)層局部刻蝕方法，含以下步驟(1)在晶體硅片背面鈍化介質(zhì)層上印刷局部刻蝕漿料；(2)將印刷完局部刻蝕漿料的晶體硅片進(jìn)行中高溫處理，使局部刻蝕漿料刻蝕掉位于其下方的鈍化介質(zhì)層；(3)采用酸液清洗掉晶體硅片背面鈍化介質(zhì)層上印刷的局部刻蝕漿料；(4)經(jīng)含干燥工序獲得背面鈍化介質(zhì)層局部刻蝕的晶體硅太陽(yáng)電池。在上述步驟中步驟(1)中在晶體硅片背面鈍化介質(zhì)層上印刷局部刻蝕漿料，采用的印刷方式為絲網(wǎng)印刷。步驟(1)中在晶體硅片背面鈍化介質(zhì)層上印刷玻璃體漿料時(shí)，印刷圖案為由圓形單元組成的陣列，所述圓形單元的直徑為20μπι ΙΟΟΟμπι，相鄰圓形單元之間的距離為 0. 3mm 2. 5mm,印刷厚度為5 μ m 35 μ m。步驟(1)中在晶體硅片背面鈍化介質(zhì)層上印刷玻璃體漿料時(shí)，印刷圖案為由正多邊形單元組成的陣列，所述正多邊形單元外接圓的直徑為20μπι ΙΟΟΟμπι，相鄰正多邊形單元之間的距離為0. 3謹(jǐn) 2. 5謹(jǐn)，印刷厚度為5 μ m 35 μ m。步驟(1)中在晶體硅片背面鈍化介質(zhì)層上印刷玻璃體漿料時(shí)，印刷圖案為由矩形單元組成的陣列，所述矩形單元的長(zhǎng)度為70 μ m 153mm，寬度為50 μ m 1000 μ m ；相鄰矩形單元在長(zhǎng)度方向上的距離為0 2. 5mm,寬度方向上的距離為0. 3mm 2. 5mm,印刷厚度力 5 μ m 35 μ m。步驟(1)中所述的局部刻蝕漿料含以下質(zhì)量百分含量的組分55 80%、 PbO2 10 ；35%、乙基纖維素5 25%、松油醇5 20%。較佳的，局部刻蝕漿料含以下質(zhì)量百分含量的組分SiA 70%,PbO2 15%、乙基纖維素10%、松油醇5%，刻蝕效果更好。步驟O)中將晶體硅片進(jìn)行中高溫處理使局部刻蝕漿料刻蝕掉位于其下方的鈍化介質(zhì)層時(shí)的溫度為200°C 800°C。在此溫度條件下，熔融的局部刻蝕漿料與鈍化介質(zhì)層反應(yīng)，生成S^2以及金屬單質(zhì)，從而將局部刻蝕漿料下方的介質(zhì)層刻蝕掉。步驟(3)中所述酸液為HF酸，其質(zhì)量百分含量為1 20 %，或所述酸液為HF酸和 HCl的混合溶液，其中HF酸的質(zhì)量百分含量為1 10%，鹽酸的質(zhì)量百分含量為1 10%， 清洗時(shí)間為2s 100s。利用HF與SW2以及金屬單質(zhì)和金屬氧化物反應(yīng)將玻璃體去除。步驟(4)中干燥方式采用甩干。并經(jīng)常規(guī)工序包括如印刷背電極、背電場(chǎng)，正面電極，燒結(jié)等制成太陽(yáng)能呢電池。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有如下優(yōu)點(diǎn)(1)本發(fā)明提供的晶體硅太陽(yáng)電池背面鈍化介質(zhì)層局部刻蝕方法免除了激光加工環(huán)節(jié)，可以利用現(xiàn)有的絲網(wǎng)印刷設(shè)備、清洗設(shè)備、烘干燒結(jié)設(shè)備實(shí)施，克服了激光加工設(shè)備昂貴，技術(shù)復(fù)雜的缺點(diǎn)；(2)本發(fā)明采用的局部刻蝕漿料成本低廉、易于制備；(3)本發(fā)明晶體硅太陽(yáng)電池背面鈍化介質(zhì)層局部剝離方法可以采用晶體硅太陽(yáng)電池行業(yè)的絲網(wǎng)印刷、燒結(jié)、清洗、干燥等成熟的設(shè)備，同時(shí)具有國(guó)內(nèi)成熟的燒結(jié)爐、清洗機(jī)、 甩干機(jī)等供應(yīng)商，設(shè)備成本低廉；(4)本發(fā)明提供的晶體硅太陽(yáng)電池背面鈍化介質(zhì)層局部刻蝕方法工藝成熟穩(wěn)定， 成本低。


圖Ia是實(shí)施例1提供的晶體硅太陽(yáng)電池背面鈍化介質(zhì)層局部刻蝕方法中在背面鈍化介質(zhì)層上印刷局部刻蝕漿料示意圖，其中1、局部刻蝕漿料，2、SiNx, 3、SiO2,4、ρ型硅， 5、η 擴(kuò)散層，6、SiNx;圖Ib是實(shí)施例1提供的晶體硅太陽(yáng)電池背面鈍化介質(zhì)層局部刻蝕方法中在中高溫條件下局部刻蝕漿料刻蝕介質(zhì)鈍化層的示意圖，其中1、局部刻蝕漿料，2、51隊(duì)，3、5102，4、 P型硅，5、η擴(kuò)散層，6、SiNx;圖Ic是實(shí)施例1提供的晶體硅太陽(yáng)電池背面鈍化介質(zhì)層局部刻蝕方法中在HF酸和HCl酸混合溶液中清洗，甩干示意圖，其中1、局部刻蝕漿料，2、SiNx，3、Si02，4、p型硅，5、 η擴(kuò)散層，6、SiNx;圖加是實(shí)施例2和實(shí)施例3中提供的晶體硅太陽(yáng)電池背面鈍化介質(zhì)層局部刻蝕方法中在中高溫條件下局部刻蝕漿料刻蝕介質(zhì)鈍化層的示意圖，其中1、局部刻蝕漿料，2、 SiNx, 3、Al2O3,4、ρ 型硅，5、η 擴(kuò)散層，6、SiNx ；圖2b是實(shí)施例2和實(shí)施例3中提供的晶體硅太陽(yáng)電池背面鈍化介質(zhì)層局部刻蝕方法中在中高溫條件下局部刻蝕漿料刻蝕介質(zhì)鈍化層的示意圖，其中1、局部刻蝕漿料，2、 SiNx, 3、Al2O3,4、ρ 型硅，5、η 擴(kuò)散層，6、SiNx ；圖2c是實(shí)施例2和實(shí)施例3中提供的晶體硅太陽(yáng)電池背面鈍化介質(zhì)層局部刻蝕方法中在HF酸和HCl酸混合溶液中清洗，甩干的示意圖，其中1、局部刻蝕漿料，2、SiNx, 3、 Al2O3,4、ρ 型硅，5、η 擴(kuò)散層，6、SiNx ；圖3a是實(shí)施例4中提供的晶體硅太陽(yáng)電池背面鈍化介質(zhì)層局部刻蝕方法中在中高溫條件下局部刻蝕漿料刻蝕介質(zhì)鈍化層的示意圖，其中1、局部刻蝕漿料，2、SiNx, 3、 Al2O3，4、η 型硅，5、ρ 擴(kuò)散層，6、SiNx, 7、ρ 擴(kuò)散層；圖北是實(shí)施例4中提供的晶體硅太陽(yáng)電池背面鈍化介質(zhì)層局部刻蝕方法中在中高溫條件下局部刻蝕漿料刻蝕介質(zhì)鈍化層的示意圖，其中1、局部刻蝕漿料，2、SiNx, 3、 Al2O3，4、η 型硅，5、ρ 擴(kuò)散層，6、SiNx, 7、ρ 擴(kuò)散層；圖3c是實(shí)施例4中提供的晶體硅太陽(yáng)電池背面鈍化介質(zhì)層局部刻蝕方法中在HF 酸和HCl酸混合溶液中清洗，甩干的示意圖，其中1、局部刻蝕漿料，2、SiNx，3、Al203，4、n型硅，5、ρ擴(kuò)散層，6、SiNx, 7、ρ擴(kuò)散層。
具體實(shí)施例方式以下結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的說(shuō)明。
實(shí)施例1如圖Ia-Ic所示，本實(shí)施例提供的晶體硅太陽(yáng)電池背面鈍化介質(zhì)層局部刻蝕方法，含如下步驟(1)選取ρ型硅片，以Si02/SiN背面鈍化介質(zhì)層為例，通過(guò)絲網(wǎng)印刷在硅片背面 Si02/SiN鈍化介質(zhì)層上印刷一層上述局部刻蝕漿料(Frit paste)，其含以下質(zhì)量百分含量的組分60%, PbO2 25%、乙基纖維素10%、松油醇5% ；印刷圖案為由圓形單元組成的陣列，圓形單元的直徑為80 μ m，相鄰圓形單元之間的距離為0. 7mm,印刷厚度為15 μ m ；(2)通過(guò)燒結(jié)爐將印完局部刻蝕漿料的晶體硅片在200°C的中溫條件下處理，使局部刻蝕漿料刻蝕掉位于其下方的鈍化介質(zhì)膜；(3)在HF酸和HCl的混合溶液中清洗晶體硅片，HF酸占混合溶液的質(zhì)量百分含量為1.0%，HCl占混合溶液的質(zhì)量百分比為3.6%，清洗時(shí)間為15s，以除去晶體硅片背面鈍化介質(zhì)層上的局部刻蝕漿料；(4)將晶體硅片甩干后，再經(jīng)印刷背電極、背電場(chǎng)，正面電極，燒結(jié)等常規(guī)工序，制備獲得太陽(yáng)能電池。實(shí)施例2如圖2a_2c所示，本實(shí)施例提供的晶體硅太陽(yáng)電池背面鈍化介質(zhì)層局部刻蝕方法，含如下步驟(1)選取ρ型晶體硅片，以Al203/SiN背面鈍化介質(zhì)層為例，通過(guò)絲網(wǎng)印刷在硅片背面Al203/SiN上印刷一層局部刻蝕漿料(Frit paste)，其含以下質(zhì)量百分含量的組分 SiO2 75%, PbO2 :10%，乙基纖維素:10%，松油醇5% ；印刷采用絲網(wǎng)印刷，印刷圖案為圓形陣列，圓形單元直徑為50 μ m，相鄰圓形單元之間的距離為0. 6mm,印刷厚度為15 μ m ；(2)通過(guò)燒結(jié)爐將印完局部刻蝕漿料的晶體硅片在500°C的中高溫條件下處理， 使局部刻蝕漿料刻蝕掉位于其下方的鈍化介質(zhì)膜；(3)在HF酸和HCl的混合溶液中清洗晶體硅片，HF酸占混合溶液的質(zhì)量百分含量為1. 5%，HCl占混合溶液的質(zhì)量百分比為4%，清洗時(shí)間為10s，以除去晶體硅片背面鈍化介質(zhì)層上的局部刻蝕漿料；(4)將晶體硅片甩干后，再經(jīng)印刷背電極、背電場(chǎng)，正面電極，燒結(jié)常規(guī)工序，制備獲得太陽(yáng)電池。實(shí)施例3如圖2a_2c所示，本實(shí)施例提供的晶體硅太陽(yáng)電池背面鈍化介質(zhì)層局部刻蝕方法，含如下步驟(1)選取ρ型晶體硅片，以Al203/SiN背面鈍化介質(zhì)層為例，通過(guò)絲網(wǎng)印刷在硅片背面Al203/SiN上印刷一層局部刻蝕漿料(Frit paste)，其含以下質(zhì)量百分含量的組分 80%, PbO2 10%、乙基纖維素5%、松油醇5%。印刷采用絲網(wǎng)印刷，印刷圖案為由正方形單元組成的陣列，正方形邊長(zhǎng)為55 μ m， 相鄰正方形單元之間的距離為0. 7mm,印刷厚度為12 μ m ；(2)通過(guò)燒結(jié)爐將印完局部刻蝕漿料的晶體硅片在450°C的中溫條件下處理，使局部刻蝕漿料刻蝕掉位于其下方的鈍化介質(zhì)膜；(3)采用HF酸溶液中清洗晶體硅片，HF酸溶液的質(zhì)量百分含量為20%清洗時(shí)間為2s，除去晶體硅片背面鈍化介質(zhì)層上的局部刻蝕漿料；(4)將晶體硅片甩干后，再經(jīng)印刷背電極、背電場(chǎng)，正面電極，燒結(jié)等常規(guī)工序，制備獲得太陽(yáng)電池。實(shí)施例4如圖3a_3c所示，本實(shí)施例提供的晶體硅太陽(yáng)電池背面鈍化介質(zhì)層局部刻蝕方法，含如下步驟(1)選取η型晶體硅片，以Al203/SiN背面鈍化介質(zhì)層為例，通過(guò)絲網(wǎng)印刷在硅片背面Al203/SiN上印刷一層上述局部刻蝕漿料(Frit paste)，其含以下質(zhì)量百分含量的組分 SiO2 55%, PbO2 10%、乙基纖維素15%、松油醇20%，印刷采用絲網(wǎng)印刷，印刷圖案為由圓形單元組成的陣列，圓形單元的直徑為60 μ m，相鄰正方形單元之間的距離為1mm，印刷厚度為12μπι;(2)通過(guò)燒結(jié)爐將印完局部刻蝕漿料的晶體硅片在800°C的高溫條件下處理，使局部刻蝕漿料刻蝕掉位于其下方的鈍化介質(zhì)膜；(3)在HF酸和HCl的混合溶液中清洗晶體硅片，HF酸占混合溶液的質(zhì)量百分含量為1. 5%，HCl占混合溶液的質(zhì)量百分比為4%，清洗時(shí)間為10s，以除去晶體硅片背面鈍化介質(zhì)層上的局部刻蝕漿料；(4)將晶體硅片甩干后，再經(jīng)印刷背電極、背面場(chǎng)，正面電極，燒結(jié)等常規(guī)工序，制備獲得太陽(yáng)電池。實(shí)施例5本實(shí)施例提供的晶體硅太陽(yáng)電池背面鈍化介質(zhì)層局部刻蝕方法，含如下步驟(1)選取η型晶體硅片，以Si02/SiN背面鈍化介質(zhì)層為例，通過(guò)絲網(wǎng)印刷在硅片背面Al203/SiN上印刷一層局部刻蝕漿料(Frit paste)，其含以下質(zhì)量百分含量的組分 SiO2 70%, PbO2 15%、乙基纖維素10%、松油醇5%，印刷采用絲網(wǎng)印刷，印刷圖案為由正六邊形單元組成的陣列，該正六邊形外接圓的直徑為1000 μ m，相鄰兩正六邊形之間的距離為2. 5mm，印刷厚度為35 μ m ；(2)通過(guò)燒結(jié)爐將印完局部刻蝕漿料的晶體硅片在350°C的中溫條件下處理，使局部刻蝕漿料刻蝕掉位于其下方的鈍化介質(zhì)膜；(3)采用HF酸溶液中清洗晶體硅片，HF酸溶液的質(zhì)量百分含量為清洗時(shí)間為 100s,除去晶體硅片背面鈍化介質(zhì)層上的局部刻蝕漿料；(4)將晶體硅片甩干后，再經(jīng)背電極、背面場(chǎng)，正面電極，燒結(jié)等常規(guī)工序，制備獲得太陽(yáng)電池。實(shí)施例6本實(shí)施例提供的晶體硅太陽(yáng)電池背面鈍化介質(zhì)層局部刻蝕方法，含如下步驟(1)選取ρ型硅片，以Si02/SiN背面鈍化介質(zhì)層為例，通過(guò)絲網(wǎng)印刷在硅片背面 Si02/SiN鈍化介質(zhì)層上印刷一層局部刻蝕漿料(Frit paste)，其含以下質(zhì)量百分含量的組分SW2 55%,PbO2 10%、乙基纖維素25%、松油醇10%，印刷圖案為由圓形單元組成的陣列，圓形單元的直徑為20 μ m，相鄰圓形單元之間的距離為0. 3mm,印刷厚度為5 μ m ；(2)通過(guò)燒結(jié)爐將印完局部刻蝕漿料的晶體硅片在600°C的稍高溫條件下處理， 使局部刻蝕漿料刻蝕掉位于其下方的鈍化介質(zhì)膜；
(3)在HF酸和HCl的混合溶液中清洗晶體硅片，HF酸占混合溶液的質(zhì)量百分含量為10%，HC1占混合溶液的質(zhì)量百分比為10%，清洗時(shí)間為2s，以除去晶體硅片背面鈍化介質(zhì)層上的局部刻蝕漿料；(4)將晶體硅片甩干后，再經(jīng)背電極、背面場(chǎng)，正面電極，燒結(jié)等常規(guī)工序，制備獲得太陽(yáng)能電池。以上列舉具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行說(shuō)明。需要指出的是，以上實(shí)施例只用于對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說(shuō)明，不代表本發(fā)明的保護(hù)范圍，其他人根據(jù)本發(fā)明的提示做出的非本質(zhì)的修改和調(diào)整，仍屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種晶體硅太陽(yáng)電池背面鈍化介質(zhì)層局部刻蝕方法，其特征是含以下步驟(1)在晶體硅片背面鈍化介質(zhì)層上印刷局部刻蝕漿料；(2)將印刷完局部刻蝕漿料的晶體硅片進(jìn)行中高溫處理，使局部刻蝕漿料刻蝕掉位于其下方的鈍化介質(zhì)層；(3)采用酸液清洗掉晶體硅片背面鈍化介質(zhì)層上印刷的局部刻蝕漿料；(4)經(jīng)含干燥工序獲得背面鈍化介質(zhì)層局部刻蝕的晶體硅太陽(yáng)電池。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體硅太陽(yáng)電池背面鈍化介質(zhì)層局部刻蝕方法，其特征是 步驟(1)中在晶體硅片背面鈍化介質(zhì)層上印刷局部刻蝕漿料，采用的印刷方式為絲網(wǎng)印刷。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶體硅太陽(yáng)電池背面鈍化介質(zhì)層局部刻蝕方法，其特征是 步驟(1)中在晶體硅片背面鈍化介質(zhì)層上印刷玻璃體漿料時(shí)，印刷圖案為由圓形單元組成的陣列，所述圓形單元的直徑為20 μ m 1000 μ m,相鄰圓形單元之間的距離為0. 3mm 2. 5mm,印刷厚度為5 μ m 35 μ m。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶體硅太陽(yáng)電池背面鈍化介質(zhì)層局部刻蝕方法，其特征是 步驟(1)中在晶體硅片背面鈍化介質(zhì)層上印刷玻璃體漿料時(shí)，印刷圖案為由正多邊形單元組成的陣列，所述正多邊形單元外接圓的直徑為20μπι ΙΟΟΟμπι，相鄰正多邊形單元之間的距離為0. 3mm 2. 5mm,印刷厚度為5 μ m 35 μ m。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶體硅太陽(yáng)電池背面鈍化介質(zhì)層局部刻蝕方法，其特征是 步驟(1)中在晶體硅片背面鈍化介質(zhì)層上印刷玻璃體漿料時(shí)，印刷圖案為由矩形單元組成的陣列，所述矩形單元的長(zhǎng)度為70 μ m 153mm，寬度為50 μ m 1000 μ m ；相鄰矩形單元在長(zhǎng)度方向上的距離為0 2. 5mm,寬度方向上的距離為0. 3mm 2. 5mm,印刷厚度為5 μ m 35 μ m0
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體硅太陽(yáng)電池背面鈍化介質(zhì)層局部刻蝕方法，其特征是步驟(1)中所述的局部刻蝕漿料含以下質(zhì)量百分含量的組分SiA陽(yáng) 80%、^^2 10 35 %、乙基纖維素5 25 %、松油醇5 20 %。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體硅太陽(yáng)電池背面鈍化介質(zhì)層局部刻蝕方法，其特征是 步驟O)中將晶體硅片進(jìn)行中高溫處理使局部刻蝕漿料刻蝕掉位于其下方的鈍化介質(zhì)層時(shí)的溫度為200°C 800°C。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體硅太陽(yáng)電池背面鈍化介質(zhì)層局部刻蝕方法，其特征是 步驟C3)中所述酸液為HF酸，其質(zhì)量百分含量為1 20%，或所述酸液為HF酸和HCl的混合溶液，其中HF酸的質(zhì)量百分含量為1 10%，鹽酸的質(zhì)量百分含量為1 10%，清洗時(shí)間為2s IOOs0
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體硅太陽(yáng)電池背面鈍化介質(zhì)層局部刻蝕方法，其特征是 步驟中干燥方式采用甩干。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種晶體硅太陽(yáng)電池背面鈍化介質(zhì)層局部刻蝕方法，含以下步驟(1)在晶體硅片背面鈍化介質(zhì)層上印刷局部刻蝕漿料；(2)將印刷完局部刻蝕漿料的晶體硅片進(jìn)行中高溫處理，使局部刻蝕漿料刻蝕掉位于其下方的鈍化介質(zhì)層；(3)采用酸液清洗掉晶體硅片背面鈍化介質(zhì)層上印刷的局部刻蝕漿料；(4)經(jīng)含干燥工序獲得背面鈍化介質(zhì)層局部刻蝕的晶體硅太陽(yáng)電池。該方法工藝簡(jiǎn)單，成本低廉，不需要使用昂貴的儀器和設(shè)備。
文檔編號(hào)H01L31/18GK102569530SQ20121004460
公開(kāi)日2012年7月11日 申請(qǐng)日期2012年2月24日 優(yōu)先權(quán)日2012年2月24日
發(fā)明者蔣方丹, 許佳平, 金井升, 陳良道, 黃紀(jì)德 申請(qǐng)人:上饒光電高科技有限公司