技術(shù)編號：7061259
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開一種，所述具有靜電保護(hù)結(jié)構(gòu)的功率器件包括漂移層、漏區(qū)、漏極、P-摻雜區(qū)、第一N+摻雜區(qū)、P+摻雜區(qū)、第一絕緣膜、第二絕緣膜、多晶硅層、柵極、靜電保護(hù)層、第三絕緣膜、源極、靜電電極及導(dǎo)線層，所述靜電保護(hù)層包括數(shù)個第二P-摻雜區(qū)以及數(shù)個第二N+摻雜區(qū)，所述數(shù)個第二P-摻雜區(qū)與數(shù)個第二N+摻雜區(qū)相間排列。本發(fā)明通過在內(nèi)部設(shè)置數(shù)個相間排列的P-摻雜區(qū)與第二N+摻雜區(qū)，以形成一靜電保護(hù)層—齊納二極管結(jié)構(gòu)，這樣就可以去除靜電安全電路等在電源模組內(nèi)所占的空間，...
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