技術編號：7060022
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及半導體器件制造領域，尤其涉及一種NAND型閃存單元結構的制備方法，通過改變工藝流程設計，能夠克服傳統(tǒng)空氣隙NAND閃存單元結構隔離效果差，需要特別工藝設備的缺點，有效改進NAND閃存中字線之間空氣隙的隔離效果，從而提高NAND閃存中字線的設計密度。專利說明NAND型閃存單元結構的制備方法 [0001]本發(fā)明涉及半導體器件制造領域，尤其涉及一種NAND型閃存單元結構的制備方法。 背景技術 [0002]NAND型閃存已經成為目前主流的非易失...
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