技術(shù)編號：7059446
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開了一種HEMT器件及其制造方法。該器件包括襯底；有源區(qū)，形成于襯底上；勢壘區(qū)，形成于有源區(qū)上；阻擋區(qū)，形成于勢壘區(qū)上，柵極，形成于阻擋區(qū)上；低電阻區(qū)，分別形成在柵極兩側(cè)，其中低電阻區(qū)是以柵極為掩蔽，通過自對準(zhǔn)工藝形成的，并且低電阻區(qū)具有摻雜粒子；源極和漏極，分別形成在柵極兩側(cè)的低電阻區(qū)上。通過本發(fā)明，有效地縮短了柵源距和柵漏距，降低了柵源串聯(lián)電阻和柵漏串聯(lián)電阻，改善了器件的高頻特性。并且低電阻區(qū)形成時不需要進(jìn)行精確套刻，降低了對光刻工藝套刻精度的...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。