技術(shù)編號(hào)：7059256
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于超大規(guī)模集成電路，具體涉及一種非揮發(fā)型阻變存儲(chǔ)器件的制備方法。背景技術(shù)隨著集成電路技術(shù)不斷推進(jìn)，基于傳統(tǒng)浮柵結(jié)構(gòu)的FLASH技術(shù)將面臨無(wú)法等比縮小的技術(shù)挑戰(zhàn)。近年來(lái)，基于MM(Metal-Insulator-Metal)結(jié)構(gòu)的阻變存儲(chǔ)器(RRAM)由于其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、易于制備、尺寸小、集成度高、擦寫速度快和功耗低等優(yōu)點(diǎn)，而備受學(xué)術(shù)界和工業(yè)界的關(guān)注。與傳統(tǒng)浮柵結(jié)構(gòu)的FLASH依靠電荷量來(lái)存儲(chǔ)信息O和I不同，阻變存儲(chǔ)器利用其在不同電致條件下分別出現(xiàn)高阻和...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。