技術(shù)編號：7058099
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開了一種射頻橫向雙擴散場效應(yīng)晶體管，具有階梯型多晶硅柵與階梯型法拉第屏蔽層，既保持有較小的輸入電容，又減小了輸出電容，降低了柵邊緣下方電場強度。本發(fā)明還公開了一種射頻橫向雙擴散場效應(yīng)晶體管的制作方法，在階梯型多晶硅柵的制作過程中，不添加任何步驟，只是在一次刻蝕中使第一層氧化層從源端到漏端為薄厚薄的結(jié)構(gòu)，從而能夠幫助后續(xù)形成的法拉第屏蔽層為靠近多晶硅柵為厚氧化層，靠近漏端為薄氧化層的階梯型，階梯型法拉第屏蔽層的制作不需要引入任何其他工藝，只需在形成階...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。