射頻橫向雙擴散場效應晶體管及其制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種射頻橫向雙擴散場效應晶體管，具有階梯型多晶硅柵與階梯型法拉第屏蔽層，既保持有較小的輸入電容，又減小了輸出電容，降低了柵邊緣下方電場強度。本發(fā)明還公開了一種射頻橫向雙擴散場效應晶體管的制作方法，在階梯型多晶硅柵的制作過程中，不添加任何步驟，只是在一次刻蝕中使第一層氧化層從源端到漏端為薄厚薄的結構，從而能夠幫助后續(xù)形成的法拉第屏蔽層為靠近多晶硅柵為厚氧化層，靠近漏端為薄氧化層的階梯型，階梯型法拉第屏蔽層的制作不需要引入任何其他工藝，只需在形成階梯型柵氧的情況下一起形成，工藝簡單。
【專利說明】射頻橫向雙擴散場效應晶體管及其制作方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及半導體技術，特別涉及一種射頻橫向雙擴散場效應晶體管及其制作方法。
【背景技術】
[0002]隨著3G時代的到來，通訊領域越來越多的要求更大功率的RF器件的開發(fā)。射頻橫向雙擴散場效應晶體管(RFLDM0S)，由于其具有非常高的輸出功率，早在上世紀90年代就已經(jīng)被廣泛應用于手提式無線基站功率放大中，其應用頻率為900MHz到3.8GHz。RFLDM0S與傳統(tǒng)的硅基雙極晶體管相比，具有更好的線性度，更高的功率和增益。如今，RFLDM0S比雙極管，以及GaAs器件更受歡迎。
[0003]目前RFLDM0S的結構如圖1所示，這種結構在漏端有輕摻雜的漂移區(qū)(LDD)，從而使其具有較大的擊穿電壓(BV)，同時由于其漂移區(qū)濃度較淡，使其具有較大的導通電阻(Rdson)。法拉第屏蔽層的作用是降低反饋的柵漏電容(Cgd)，同時由于其在應用中處于零電位，可以起到場版的作用，降低表面電場，從而增大器件的擊穿電壓，并且能夠起到抑制熱載流子注入的作用。在RFLDM0S的設計中，其輸出電容決定著器件的頻率特性，在高頻應用中要求更低的輸出電容。并且其熱載流子能力(HCI)也影響到器件的壽命，一般情況下，為了改善器件的熱載流子注入能力，通常會采用階梯型柵的結構，從而降低多晶硅柵下方電場強度。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0004]本發(fā)明要解決的技術問題是提供一種的射頻橫向雙擴散場效應晶體管及其制作方法，工藝簡單，制造的射頻橫向雙擴散場效應晶體管具有階梯型柵多晶硅柵與階梯型法拉第屏蔽層，既保持有較小的輸入電容，又減小了輸出電容，降低柵邊緣下方電場強度，提高器件的射頻特性，以及改善器件的魯棒性。
[0005]為解決上述技術問題，本發(fā)明提供的射頻橫向雙擴散場效應晶體管的制作方法，包括以下步驟:
[0006]一.在P型襯底上生長P型外延層，P型外延層的摻雜濃度比P型襯底低；
[0007]二.在P型外延層上面熱氧化生長第一氧化層；
[0008]三.保留P型外延層中部的第一氧化層，將P型外延層上的其它第一氧化層全部刻蝕掉；
[0009]四.在P型外延層上面再熱氧生長第二氧化層，第二氧化層較第一氧化層薄，從而從左到右，P型外延層上面的氧化層的結構為薄厚薄的結構；
[0010]五.在氧化層上淀積多晶硅，光刻刻蝕出多晶硅柵，多晶硅柵的左部覆蓋于P型外延層左部上面的薄氧化層的右端，多晶硅柵的右部覆蓋于P型外延層中部上面的厚氧化層的左端，從而形成左低右高的階梯型多晶硅柵；
[0011]六.保留多晶硅柵上面的光刻膠，通過自對準注入分別在多晶硅柵左側及右側的P型外延層中形成N型摻雜區(qū)，多晶硅柵右側的P型外延層中的N型摻雜區(qū)作為N型漂移區(qū)；
[0012]七.通過模板定義P阱區(qū)域，在多晶硅柵左側的P型外延層中進行P型離子注入，然后高溫推進形成P阱；
[0013]八.通過光刻版定義出源端重N型區(qū)域、漏端重N型區(qū)域和襯底端重P型區(qū)域，在源端重N型區(qū)域、漏端重N型區(qū)域注入N型雜質(zhì)；在襯底端重P型區(qū)域注入P型雜質(zhì)；
[0014]九.在硅片上淀積第三氧化層，從而多晶硅柵右側的氧化層從左到右為從高到低的三個高度；
[0015]十.在第三氧化層上淀積一金屬層，通過模板定義，刻蝕形成左高右低的階梯型法拉第屏蔽金屬層，階梯型法拉第屏蔽金屬層的左部在階梯型多晶硅柵右側的最高的氧化層上方，階梯型法拉第屏蔽金屬層的中部在階梯型多晶硅柵右側的中間高度的氧化層上方，階梯型法拉第屏蔽金屬層的左部在階梯型多晶硅柵右側的最低的氧化層上方；
[0016]十一.通過模板，在襯底端重P型區(qū)域定義出多晶硅塞或者金屬塞的位置和大小，刻蝕至P型襯底，淀積多晶硅或者金屬，形成多晶硅或者金屬塞。
[0017]本發(fā)明提供的射頻橫向雙擴散場效應晶體管的制作方法制作的射頻橫向雙擴散場效應晶體管，P型襯底上生長P型外延層，P型外延層左部形成有P阱，右部形成有N型漂移區(qū)；
[0018]在P阱的右部及N型漂移區(qū)的左部之間的P型外延層上方依次形成有左低右高的階梯型柵氧及階梯型多晶硅柵；
[0019]在鄰接于多晶硅柵右側的N型漂移區(qū)上方形成有左高右低的階梯型法拉第屏蔽介質(zhì)層以及階梯型法拉第屏蔽金屬層；
[0020]所述階梯型法拉第屏蔽介質(zhì)層，位于階梯型法拉第屏蔽金屬層同N型漂移區(qū)之間，從左到右呈高、中、低三種厚度分布；
[0021]在鄰接多晶硅柵左側的P阱上形成源端重N型區(qū)；
[0022]在N型漂移區(qū)右端上形成漏端重N型區(qū)；
[0023]所述源端重N型區(qū)左側形成重P型區(qū)；
[0024]所述重P型區(qū)中及下方形成P型多晶硅或者金屬連接物，將所述重P型區(qū)、P阱、P外延層及P襯底引出。
[0025]較佳的，位于階梯型法拉第屏蔽金屬層正下方的N型漂移區(qū)的深度，小于位于階梯型法拉第屏蔽金屬層右側下方的N型漂移區(qū)的深度。
[0026]本發(fā)明的射頻橫向雙擴散場效應晶體管的制作方法，在階梯型多晶硅柵的制作過程中，不添加任何步驟，只是在一次刻蝕中使第一層氧化層從源端到漏端為薄厚薄的結構，從而能夠幫助后續(xù)形成的法拉第屏蔽層為靠近多晶硅柵為厚氧化層，靠近漏端為薄氧化層的階梯型，階梯型法拉第屏蔽層的制作不需要引入任何其他工藝，只需在形成階梯型柵氧的情況下一起形成，工藝簡單。
[0027]本發(fā)明的射頻橫向雙擴散場效應晶體管的制作方法所制作的射頻橫向雙擴散場效應晶體管，由于法拉第屏蔽層為階梯型，靠近多晶硅柵那邊的法拉第屏蔽氧化層厚，從而能降低器件的輸出電容，而靠近漏端一側的法拉第屏蔽氧化層薄，不會影響到器件的電場分布。由于漂移區(qū)注入是在薄厚薄結構的第一層氧化層形成之后，如果采用普通的注入方法會形成非均勻摻雜的漂移區(qū)，即一邊淺一邊深的情況，為了能夠使得多晶硅柵下方電場強度不變，使得近多晶硅柵處漂移區(qū)的離子注入深度同與普通射頻橫向雙擴散場效應晶體管一樣，近多晶硅柵漂移區(qū)必須增加離子注入能量，而法拉第屏蔽層邊緣以及以外的硅表面上方氧化層厚度與普通的RFLDMOS保持一致，則其下方注入的離子會更深，其體濃度相對于普通的射頻橫向雙擴散場效應晶體管更低，因此能夠降低法拉第屏蔽層邊緣下方電場強度，提高了漂移區(qū)靠近漏端邊緣的電場，但是由于其增加了漂移區(qū)深度，即增加了載流子電流通路，因此也不會影響到器件的電流驅動能力，因此，實施例一的射頻橫向雙擴散場效應晶體管的制作方法所制作的射頻橫向雙擴散場效應晶體管，DC數(shù)據(jù)基本沒有太大的影響，而器件的輸出電容能夠減小。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0028]為了更清楚地說明本發(fā)明的技術方案，下面對本發(fā)明所需要使用的附圖作簡單的介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0029]圖1是現(xiàn)有的RFLDMOS的結構；
[0030]圖2是本發(fā)明射頻橫向雙擴散場效應晶體管的制作方法一實施例外延層形成之后的器件截面圖；
[0031]圖3是本發(fā)明射頻橫向雙擴散場效應晶體管的制作方法一實施例階梯型多晶硅柵形成后的器件截面圖；
[0032]圖4是本發(fā)明射頻橫向雙擴散場效應晶體管的制作方法一實施例階梯型N型漂移區(qū)形成后的器件截面圖；
[0033]圖5是本發(fā)明射頻橫向雙擴散場效應晶體管的制作方法一實施例注入及熱過程完成后的器件截面圖；
[0034]圖6是本發(fā)明射頻橫向雙擴散場效應晶體管一實施例的截面圖；
[0035]圖7是普通的射頻橫向雙擴散場效應晶體管的仿真截面圖；
[0036]圖8是具有階梯型柵的普通的射頻橫向雙擴散場效應晶體管的仿真截面圖；
[0037]圖9是本發(fā)明的射頻橫向雙擴散場效應晶體管的仿真截面圖；
[0038]圖10是三種結構的射頻橫向雙擴散場效應晶體管在擊穿時，沿著漂移區(qū)表面的電場分布曲線圖。
【具體實施方式】
[0039]下面將結合附圖，對本發(fā)明中的技術方案進行清楚、完整的描述，顯然，所描述的實施例是本發(fā)明的一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動的前提下所獲得的所有其它實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0040]實施例一
[0041]射頻橫向雙擴散場效應晶體管的制作方法，包括以下步驟:
[0042]一.在重摻雜P型襯底101上生長輕摻雜P型外延層102，如圖2所示；
[0043]二.在P型外延層102上面熱氧化生長第一氧化層；
[0044]三.保留P型外延層102中部的第一氧化層，將P型外延層上的其它第一氧化層全部刻蝕掉；
[0045]四.在P型外延層102上面然后再熱氧生長第二氧化層，第二氧化層較第一氧化層薄，從左端到右端，P型外延層102上面的氧化層的結構為薄厚薄的結構；
[0046]五.在氧化層201上淀積多晶硅，光刻刻蝕出多晶硅柵202，多晶硅柵的左部覆蓋于P型外延層102左部上面的薄氧化層的右端，右部覆蓋于P型外延層102中部上面的厚氧化層的左端，從而形成左低右高的階梯型多晶硅柵202，如圖3所示；
[0047]六.在保留多晶硅柵上面的光刻膠203，通過自對準注入分別在多晶硅柵202左側及右側的P型外延層102中形成N型摻雜區(qū)，多晶硅柵202右側的P型外延層102中的N型摻雜區(qū)作為N型漂移區(qū)301，如圖4所示；
[0048]七.通過模板定義P阱區(qū)域，在多晶硅柵左側的P型外延層102中進行P型離子注入，然后高溫推進形成P阱401，如圖5所示；
[0049]八.通過光刻版定義出源端重N型區(qū)域503、漏端重N型區(qū)域501和襯底端重P型區(qū)域502，在源端重N型區(qū)域503、漏端重N型區(qū)域501注入N型雜質(zhì)；在襯底端重P型區(qū)域502注入P型雜質(zhì)，如圖5所示；
[0050]九.在硅片上淀積第三氧化層，從而多晶硅柵右側的氧化層從左到右依次為高、中、低三個高度；
[0051]十.在第三氧化層上淀積一金屬層，通過模板定義，刻蝕形成左高右低的階梯型法拉第屏蔽金屬層601，階梯型法拉第屏蔽金屬層601的左部在階梯型多晶硅柵右側的最高的氧化層上方，階梯型法拉第屏蔽金屬層601的中部在階梯型多晶硅柵右側的中間高度的氧化層上方，階梯型法拉第屏蔽金屬層601的左部在階梯型多晶硅柵右側的最低的氧化層上方，如圖6所示。
[0052]十一.通過模板，在襯底端重P型區(qū)域502定義出多晶硅塞或者金屬塞的位置和大小，刻蝕至P型襯底101，淀積多晶硅或者金屬，形成多晶硅或者金屬塞701，如圖6所示。
[0053]較佳的，所述輕摻雜P型外延層，體濃度為lel4?lel6個/cm3,厚度為1?10um。
[0054]較佳的，所述第一氧化層，厚度為5nm?500nm。
[0055]較佳的，步驟六中，注入N型摻雜區(qū)的雜質(zhì)為磷或者砷，注入能量為10?500keV，劑量為lel2?5el3個/cm2。
[0056]較佳的，步驟七中，在P阱區(qū)域注入的P型離子為硼，能量為30?300keV，劑量為lel2 ?2el4 個 /cm2。
[0057]較佳的，步驟八中，注入源端重N型區(qū)域、漏端重N型區(qū)域的N型雜質(zhì)為磷或砷，能量為OkeV?200keV，劑量為1013?1016個/cm2 ;注入襯底端重P型區(qū)域的P型雜質(zhì)為硼或者二氟化硼，能量為OkeV?lOOkeV，劑量為1013?1016個/cm2。
[0058]較佳的，第三氧化層厚度為300埃?2000埃；
[0059]實施例一的射頻橫向雙擴散場效應晶體管的制作方法，在P外延層上面先熱氧化生長一層較厚氧化層，然后通過模板定義，將需要薄柵氧的區(qū)域的氧化層全部刻蝕掉，其中一邊是多晶硅柵以及源端區(qū)域，另外一邊是漏端漂移區(qū)區(qū)域的一部分，然后再熱氧生長一層較薄的氧化層，從源端到漏端，其氧化層的結構為薄厚薄的結構，然后淀積多晶硅，刻蝕形成階梯型柵。在制作法拉第屏蔽層時，由于形成的氧化層是薄厚薄的結構，在漂移區(qū)靠近柵上方為厚氧化層區(qū)，靠近漏端上方為薄氧化層區(qū)，因此在所有注入與熱過程之后，分別淀積法拉第屏蔽氧化層與法拉第屏蔽金屬層，仍然會是在漂移區(qū)靠近柵上方為厚氧化層區(qū)，靠近漏端上方為薄氧化層區(qū)的結構，之后通過刻蝕金屬，從而形成靠近多晶硅柵為厚氧化層，靠近漏端為薄氧化層的階梯型的法拉第屏蔽層。
[0060]實施例一的射頻橫向雙擴散場效應晶體管的制作方法，在階梯型多晶硅柵的制作過程中，不添加任何步驟，只是在一次刻蝕中使第一層氧化層從源端到漏端為薄厚薄的結構，從而能夠幫助后續(xù)形成的法拉第屏蔽層為靠近多晶硅柵為厚氧化層，靠近漏端為薄氧化層的階梯型，階梯型法拉第屏蔽層的制作不需要引入任何其他工藝，只需在形成階梯型柵氧的情況下一起形成，工藝簡單。
[0061]實施例一的射頻橫向雙擴散場效應晶體管的制作方法所制作的射頻橫向雙擴散場效應晶體管，由于法拉第屏蔽層為階梯型，靠近多晶硅柵那邊的法拉第屏蔽氧化層厚，從而能降低器件的輸出電容，而靠近漏端一側的法拉第屏蔽氧化層薄，不會影響到器件的電場分布。由于漂移區(qū)注入是在薄厚薄結構的第一層氧化層形成之后，如果采用普通的注入方法會形成非均勻摻雜的漂移區(qū)，即一邊淺一邊深的情況，為了能夠使得多晶硅柵下方電場強度不變，使得近多晶硅柵處漂移區(qū)的離子注入深度同與普通射頻橫向雙擴散場效應晶體管一樣，近多晶硅柵漂移區(qū)必須增加離子注入能量，而法拉第屏蔽層邊緣以及以外的硅表面上方氧化層厚度與普通的RFLDMOS保持一致，則其下方注入的離子會更深，其體濃度相對于普通的射頻橫向雙擴散場效應晶體管更低，因此能夠降低法拉第屏蔽層邊緣下方電場強度，提高了漂移區(qū)靠近漏端邊緣的電場，但是由于其增加了漂移區(qū)深度，即增加了載流子電流通路，因此也不會影響到器件的電流驅動能力，因此，實施例一的射頻橫向雙擴散場效應晶體管的制作方法所制作的射頻橫向雙擴散場效應晶體管，DC數(shù)據(jù)基本沒有太大的影響，而器件的輸出電容能夠減小。
[0062]實施例二
[0063]射頻橫向雙擴散場效應晶體管，如圖6所示，P型襯底101上生長P型外延層102，P型外延層102左部形成有P阱401，右部形成有N型漂移區(qū)301，在P阱401的右部及N型漂移區(qū)301的左部之間的P型外延層102上方依次形成有左低右高的階梯型柵氧及階梯型多晶娃棚202,在鄰接于多晶娃棚202右側的N型漂移區(qū)301上方形成有左聞右低的型階梯型法拉第屏蔽介質(zhì)層以及法拉第屏蔽金屬601，所述階梯型法拉第屏蔽介質(zhì)層，位于階梯型法拉第屏蔽金屬層601同N型漂移區(qū)301之間，從左到右呈高、中、低三種厚度分布，位于階梯型法拉第屏蔽金屬層正下方的N型漂移區(qū)的摻雜濃度，大于位于階梯型法拉第屏蔽金屬層右側下方的N型漂移區(qū)的摻雜濃度；位于階梯型法拉第屏蔽金屬層正下方的N型漂移區(qū)的深度，小于于位于階梯型法拉第屏蔽金屬層右側下方的N型漂移區(qū)的深度；在鄰接多晶硅柵左側的P阱401上形成源端重N型區(qū)，在N型漂移區(qū)右端上形成漏端重N型區(qū)，所述源端重N型區(qū)左側形成重P型區(qū)，將所述P阱401與P外延層102及P襯底101引出。所述P阱401用于形成溝道。
[0064]采用TCAD仿真軟件對實施例二的射頻橫向雙擴散場效應晶體管進行仿真，如圖
7、圖8、圖9、圖10所示，圖7顯示了普通的射頻橫向雙擴散場效應晶體管的仿真截面圖，圖8顯示了具有階梯型柵的普通的射頻橫向雙擴散場效應晶體管的仿真截面圖，圖9顯示了實施例二的射頻橫向雙擴散場效應晶體管的仿真截面圖，圖9中所示晶體管中法拉第屏蔽層末端下方的介質(zhì)層厚度與圖8中所示法拉第屏蔽層下方介質(zhì)層厚度一樣，圖10為三種結構在擊穿時，沿著漂移區(qū)表面的電場分布曲線圖，其中第一個峰值為靠近漏端柵邊緣下方電場，第二個峰值為靠近漏端法拉第屏蔽金屬層邊緣下方電場，從圖中可以看出，階梯型柵結構能夠降低多晶硅柵下方電場強度，并且實施例二的射頻橫向雙擴散場效應晶體管的多晶硅柵下方電場分布能夠與具有階梯型柵的普通的射頻橫向雙擴散場效應晶體管保持一致。
[0065]實施例二的射頻橫向雙擴散場效應晶體管，具有階梯型柵多晶硅柵與階梯型法拉第屏蔽層，既保持有較小的輸入電容(Ciss)，又減小了輸出電容(Coss)，降低了柵邊緣下方電場強度，能夠提高器件的射頻特性，以及改善器件的魯棒性。
[0066]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發(fā)明保護的范圍之內(nèi)。
【權利要求】
1.一種射頻橫向雙擴散場效應晶體管，P型襯底上生長P型外延層，P型外延層左部形成有P阱，右部形成有N型漂移區(qū)，其特征在于， 在P阱的右部及N型漂移區(qū)的左部之間的P型外延層上方依次形成有左低右高的階梯型柵氧及階梯型多晶硅柵； 在鄰接于多晶硅柵右側的N型漂移區(qū)上方形成有左高右低的階梯型法拉第屏蔽介質(zhì)層以及階梯型法拉第屏蔽金屬層； 所述階梯型法拉第屏蔽介質(zhì)層，位于階梯型法拉第屏蔽金屬層同N型漂移區(qū)之間，從左到右呈高、中、低三種厚度分布； 在鄰接多晶硅柵左側的P阱上形成源端重N型區(qū)； 在N型漂移區(qū)右端上形成漏端重N型區(qū)； 所述源端重N型區(qū)左側形成重P型區(qū)， 所述重P型區(qū)中及下方形成P型多晶硅或者金屬連接物，將所述重P型區(qū)、P阱、P外延層及P襯底引出。
2.根據(jù)權利要求1所述的射頻橫向雙擴散場效應晶體管，其特征在于， 位于階梯型法拉第屏蔽金屬層正下方的N型漂移區(qū)的深度，小于位于階梯型法拉第屏蔽金屬層右側下方的N型漂移區(qū)的深度。
3.一種射頻橫向雙擴散場效應晶體管的制作方法，其特征在于，包括以下步驟: 一.在P型襯底上生長P型外延層，P型外延層的摻雜濃度比P型襯底低； 二.在P型外延層上面熱氧化生長第一氧化層； 三.保留P型外延層中部的第一氧化層，將P型外延層上的其它第一氧化層全部刻蝕掉； 四.在P型外延層上面再熱氧生長第二氧化層，第二氧化層較第一氧化層薄，從而從左到右，P型外延層上面的氧化層的結構為薄厚薄的結構； 五.在氧化層上淀積多晶硅，光刻刻蝕出多晶硅柵，多晶硅柵的左部覆蓋于P型外延層左部上面的薄氧化層的右端，多晶硅柵的右部覆蓋于P型外延層中部上面的厚氧化層的左端，從而形成左低右聞的階梯型多晶娃棚； 六.保留多晶硅柵上面的光刻膠，通過自對準注入分別在多晶硅柵左側及右側的P型外延層中形成N型摻雜區(qū)，多晶硅柵右側的P型外延層中的N型摻雜區(qū)作為N型漂移區(qū)； 七.通過模板定義P阱區(qū)域，在多晶硅柵左側的P型外延層中進行P型離子注入，然后高溫推進形成P阱； 八.通過光刻版定義出源端重N型區(qū)域、漏端重N型區(qū)域和襯底端重P型區(qū)域，在源端重N型區(qū)域、漏端重N型區(qū)域注入N型雜質(zhì)；在襯底端重P型區(qū)域注入P型雜質(zhì)； 九.在硅片上淀積第三氧化層，從而多晶硅柵右側的氧化層從左到右為從高到低的三個高度； 十.在第三氧化層上淀積一金屬層，通過模板定義，刻蝕形成左高右低的階梯型法拉第屏蔽金屬層，階梯型法拉第屏蔽金屬層的左部在階梯型多晶硅柵右側的最高的氧化層上方，階梯型法拉第屏蔽金屬層的中部在階梯型多晶硅柵右側的中間高度的氧化層上方，階梯型法拉第屏蔽金屬層的左部在階梯型多晶硅柵右側的最低的氧化層上方； 十一.通過模板，在襯底端重P型區(qū)域定義出多晶硅塞或者金屬塞的位置和大小，刻蝕至P型襯底，淀積多晶硅或者金屬，形成多晶硅或者金屬塞。
4.根據(jù)權利要求3所述的射頻橫向雙擴散場效應晶體管的制作方法，其特征在于， 所述輕摻雜P型外延層，體濃度為lel4?lel6個/cm3,厚度為I?10um。
5.根據(jù)權利要求3所述的射頻橫向雙擴散場效應晶體管的制作方法，其特征在于， 所述第一氧化層，厚度為5nm?500nm。
6.根據(jù)權利要求3所述的射頻橫向雙擴散場效應晶體管的制作方法，其特征在于， 步驟六中，注入N型摻雜區(qū)的雜質(zhì)為磷或者砷，注入能量為10?500keV，劑量為lel2 ?5el3 個 /cm2。
7.根據(jù)權利要求3所述的射頻橫向雙擴散場效應晶體管的制作方法，其特征在于， 步驟七中，在P阱區(qū)域注入的P型離子為硼，能量為30?300keV，劑量為lel2?2el4個 /cm2。
8.根據(jù)權利要求3所述的射頻橫向雙擴散場效應晶體管的制作方法，其特征在于， 步驟八中，注入源端重N型區(qū)域、漏端重N型區(qū)域的N型雜質(zhì)為磷或砷，能量為OkeV?200keV，劑量為113?116個/cm2 ;注入襯底端重P型區(qū)域的P型雜質(zhì)為硼或者二氟化硼，能量為OkeV?10keV,劑量為113?116個/cm2。
9.根據(jù)權利要求3所述的射頻橫向雙擴散場效應晶體管的制作方法，其特征在于，第三氧化層厚度為300埃?2000埃。
【文檔編號】H01L21/336GK104282762SQ201410468153
【公開日】2015年1月14日 申請日期:2014年9月15日 優(yōu)先權日:2014年9月15日
【發(fā)明者】李娟娟, 蔡瑩 申請人:上海華虹宏力半導體制造有限公司