技術(shù)編號(hào):7057868
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開了一種,包括步驟提供一帶N型硅外延層的硅片做襯底;形成硬掩膜層,進(jìn)行光刻刻蝕形成第一光刻膠圖形,刻蝕形成深溝槽;在深溝槽內(nèi)填充P型單晶硅;CMP去除硬掩膜層表面的P型多晶硅,形成由P柱和N型薄層組成交替排列的超級(jí)結(jié)結(jié)構(gòu);以剩余的硬掩膜層為掩模進(jìn)行P型雜質(zhì)注入并形成P型層,P型層自對(duì)準(zhǔn)形成在各P柱的頂部并擴(kuò)散后作為超級(jí)結(jié)半導(dǎo)體器件的P型體區(qū)。本發(fā)明能減少光罩層次,節(jié)省工藝成本;還能優(yōu)化超結(jié)器件的體二極管以及動(dòng)態(tài)特性。專利說(shuō)明 [0001] 本...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。