技術(shù)編號：7056131
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明提出一種ITO膜層的制備方法及LED芯片的制備方法，采用第一磁控濺射技術(shù)形成ITO保護(hù)層，由于在磁控濺射過程中等離子體轟擊GaN基底會造成的GaN基底的N缺失，形成ITO保護(hù)層中增加有N+，能夠補(bǔ)充N的缺失，從而消除了高濺射功率下等離子體對GaN基底的損傷，避免了ITO膜層中的In或Sn向GaN基底內(nèi)部的滲透，有效增強(qiáng)ITO膜層和GaN基底的歐姆接觸，降低形成的LED芯片的電壓。此外，ITO主體層為折射率漸變的膜層體系，有效地增加了光的溢出效率，提升...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。