技術(shù)編號(hào)：7055304
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。實(shí)施方式的中，準(zhǔn)備基板，從從液相中在基板的表面生長(zhǎng)p型的SiC單晶層，該液相為，含有Si(硅)、C(碳)、p型雜質(zhì)、以及n型雜質(zhì)，在將p型雜質(zhì)設(shè)為元素A、將n型雜質(zhì)設(shè)為元素D的情況下，元素A和元素D的組合為從Al(鋁)和N(氮)、Ga(鎵)和N(氮)、以及In(銦)和N(氮)中選擇的至少一個(gè)組合即第一組合、以及B(硼)和P(磷)的第二組合中的至少一方的組合，構(gòu)成第一或第二組合的元素D的濃度相對(duì)于元素A的濃度的比大于0.33小于1.0。專利說明[0001]相...
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