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形成淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的方法技術(shù)資料下載

技術(shù)編號(hào):7054342

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本發(fā)明提供一種,包括提供一半導(dǎo)體襯底,在所述襯底上形成硬質(zhì)掩膜層,對(duì)硬質(zhì)掩膜層及襯底刻蝕,以形成隔離溝槽;對(duì)硬質(zhì)掩膜層進(jìn)行回刻,并在隔離溝槽側(cè)壁、底部表面形成內(nèi)襯層;沉積隔離介質(zhì)層充滿隔離溝槽并對(duì)隔離介質(zhì)層進(jìn)行平坦化工藝;沿開口對(duì)隔離介質(zhì)層進(jìn)行回刻;在隔離介質(zhì)層表面形成無定形碳側(cè)墻;對(duì)隔離介質(zhì)層內(nèi)注入離子;采用刻蝕工藝去除所述硬質(zhì)掩膜層及無定形碳側(cè)墻,以形成淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)。本發(fā)明可避免在淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)與半導(dǎo)體襯底接縫處出現(xiàn)凹槽,提高所形成淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的形...
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