技術(shù)編號(hào)：7053588
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開了，包括在重?fù)诫s襯底上生長(zhǎng)反型輕摻雜外延層的工藝方法。本發(fā)明通過采用在襯底加工階段，外延生長(zhǎng)前制作自補(bǔ)償背封層的手段，提供一種在重?fù)诫s襯底上批量生長(zhǎng)具有相反導(dǎo)電類型的輕摻雜外延的方法，以解決背面自摻雜效應(yīng)和邊緣效應(yīng)引起輕摻雜外延氣氛反型，從而導(dǎo)致片內(nèi)邊緣或整片生長(zhǎng)成同型外延的問題。采用本發(fā)明的自補(bǔ)償背封工藝，即使是用常壓外延爐滿爐生長(zhǎng)，仍能保證外延參數(shù)滿足產(chǎn)品要求。專利說明 [0001] 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體微電子，具體地說，本發(fā)明涉及硅基半導(dǎo)...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。