技術(shù)編號(hào)：7053587
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及由雜質(zhì)離子植入調(diào)整的通道半導(dǎo)體合金層成長，提供一種改良的方法，用于形成薄的半導(dǎo)體合金層在半導(dǎo)體層頂部上。所提出的方法是依靠在實(shí)行半導(dǎo)體合金薄膜沉積之前，適當(dāng)?shù)碾s質(zhì)物種的植入。對(duì)在沉積之后在該裝置表面上實(shí)行濕式和干式蝕刻而言，該植入的物種使得該半導(dǎo)體合金層較為穩(wěn)定。因此，若在實(shí)行該植入之后沉積該薄膜，可以實(shí)質(zhì)地增加該半導(dǎo)體合金層薄膜的厚度均勻性。另一方面，已發(fā)現(xiàn)某些植入的雜質(zhì)會(huì)降低該半導(dǎo)體合金層的成長速率。因此，通過選擇性地植入適當(dāng)?shù)碾s質(zhì)在晶圓的預(yù)...
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