技術(shù)編號：7053503
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種基于應(yīng)變型異質(zhì)結(jié)量子點的太陽能電池裝置，同時涉及其制備方法，屬于太陽能電池材料領(lǐng)域。該電池裝置包括在摻雜硅基襯底上生長的至少二層Ge/Si量子點結(jié)構(gòu)層；Ge/Si量子點結(jié)構(gòu)層由含有直徑2-7nm的Ge量子點的Si薄膜層構(gòu)成，最內(nèi)層的Si薄膜層為2-4nm，以后逐層遞增；最外層的量子點結(jié)構(gòu)層為填充量子點間隙的SiO2覆蓋薄膜層，形成量子點陣列填充薄膜多層結(jié)構(gòu)；覆蓋薄膜層外生長有一層厚度10-20nm的硅摻雜層保護膜，硅摻雜層和硅基襯底外表面生長...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。