技術(shù)編號：7051885
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開了一種雙模式絕緣柵晶體管，屬于IGBT。該雙模式絕緣柵晶體管包括逆導(dǎo)區(qū)和引導(dǎo)區(qū)；逆導(dǎo)區(qū)和引導(dǎo)區(qū)均包括P+集電區(qū)，漂移區(qū)和MOS元胞區(qū)，漂移區(qū)均在P+集電區(qū)的上方，MOS元胞區(qū)均在漂移區(qū)的上方；逆導(dǎo)區(qū)還包括N+集電區(qū)，N+集電區(qū)與P+集電區(qū)相間分布；引導(dǎo)區(qū)還包括分離區(qū)或低摻雜區(qū)，分離區(qū)將引導(dǎo)區(qū)的P+集電區(qū)與逆導(dǎo)區(qū)的P+集電區(qū)和N+集電區(qū)隔離，低摻雜區(qū)在引導(dǎo)區(qū)的P+集電區(qū)上方。本發(fā)明通過增加器件在VDMOS模式時(shí)引導(dǎo)區(qū)上方電子電流通道的電阻或引導(dǎo)區(qū)集...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。