技術(shù)編號：7051590
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件及其制造方法，并且具體地涉及一種在應(yīng)用于一種具有MISFET并且使用應(yīng)力膜的半導(dǎo)體器件及其制造方法時有效的技術(shù)。背景技術(shù)目前廣泛施行使晶體管小型化并且實現(xiàn)其性能提高。然而僅通過使晶體管小型化 來提高其性能的方式具有比如在成本/性能比方面增加成本之類的問題。鑒于這樣的問題，已經(jīng)顯現(xiàn)一種不僅通過使晶體管小型化來提高其性能而且使用由氮化硅膜代表的應(yīng)力膜來提高晶體管性能的方法。在公開號為2009-147199的日本未審專利(專利文獻(xiàn)I)中，...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。