技術(shù)編號：7051043
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種形成電容器結(jié)構(gòu)的方法，包括在凹槽的底部和側(cè)壁上方以及襯底表面上方沉積均勻厚度的多層第一多晶硅(POLY)層，其中，多層第一多晶硅(POLY)層通過多層氧化物/氮化物/氧化物(ONO)層彼此分隔開。在多層第一多晶硅層上方沉積第二多晶硅層，第二多晶硅層通過ONO層與第一多晶硅層分隔開，并且第二多晶硅層填充凹槽的剩余部分。使用第一化學(xué)機械拋光(CMP)去除第二多晶硅層和第二ONO層的部分。使用第一圖案化和蝕刻工藝去除表面上的多層第一多晶硅層的每層和...
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