技術(shù)編號：7050165
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開了一種，該雙模晶體管裝置包括半導(dǎo)體基材。裝置的半導(dǎo)體基材包括通道區(qū)、鄰近于通道區(qū)的第一側(cè)的P型終端區(qū)(作為源極或漏極)，以及鄰近于通道區(qū)的第二側(cè)的N型終端區(qū)(作為源極或漏極)。柵極絕緣材料設(shè)置在半導(dǎo)體基材的表面之上及通道區(qū)上。柵極設(shè)置在柵極絕緣材料之上及通道區(qū)上。第一輔助柵極位于柵極的第一側(cè)，且跨于鄰接P型終端區(qū)的一部分通道區(qū)上。第二輔助柵極位于柵極的第二側(cè)，且跨于鄰接N型終端區(qū)的一部分通道區(qū)上。背柵極可選擇性的包含在通道區(qū)之下。施加偏壓的輔助柵...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。