技術(shù)編號(hào):7047837
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明提供了一種,包括步驟提供已拋光處理的第一半導(dǎo)體襯底和第二半導(dǎo)體襯底;在所述第一半導(dǎo)體襯底上形成基準(zhǔn)標(biāo)記;將所述第二半導(dǎo)體襯底與所述第一半導(dǎo)體襯底鍵合;在所述第二半導(dǎo)體襯底的上形成開(kāi)口,所述開(kāi)口暴露出所述第一半導(dǎo)體襯底上的所述基準(zhǔn)標(biāo)記。通過(guò)在所述第二半導(dǎo)體襯底的上形成開(kāi)口,使得所述第一半導(dǎo)體襯底上的基準(zhǔn)標(biāo)記暴露出來(lái),節(jié)省了現(xiàn)有的對(duì)位過(guò)程中需要采用雙面光刻,引入對(duì)準(zhǔn)偏差及機(jī)械損傷,導(dǎo)致產(chǎn)品良率低的問(wèn)題,提高了對(duì)位的精準(zhǔn)度及產(chǎn)品良率。專(zhuān)利說(shuō)明[0001]本...
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