對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的形成方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的形成方法，包括步驟：提供已拋光處理的第一半導(dǎo)體襯底和第二半導(dǎo)體襯底；在所述第一半導(dǎo)體襯底上形成基準(zhǔn)標(biāo)記；將所述第二半導(dǎo)體襯底與所述第一半導(dǎo)體襯底鍵合；在所述第二半導(dǎo)體襯底的上形成開口，所述開口暴露出所述第一半導(dǎo)體襯底上的所述基準(zhǔn)標(biāo)記。通過在所述第二半導(dǎo)體襯底的上形成開口，使得所述第一半導(dǎo)體襯底上的基準(zhǔn)標(biāo)記暴露出來，節(jié)省了現(xiàn)有的對(duì)位過程中需要采用雙面光刻，引入對(duì)準(zhǔn)偏差及機(jī)械損傷，導(dǎo)致產(chǎn)品良率低的問題，提高了對(duì)位的精準(zhǔn)度及產(chǎn)品良率。
【專利說明】對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的形成方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及一種對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的形成方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在現(xiàn)今的集成電路制造過程中，制造一個(gè)完整的芯片一般要經(jīng)過十幾到二十幾次的光刻。在這么多次光刻中，除了第一次光刻以外，其余層次的光刻在曝光前都要將該層次的圖形與以前層次留下的圖形對(duì)準(zhǔn)，即對(duì)位過程。具體的，所謂的對(duì)位也就是定位，它實(shí)際上不是用半導(dǎo)體襯底上的圖形與掩膜版上的圖形直接對(duì)準(zhǔn)來對(duì)位的，而是彼此獨(dú)立的，即確定掩膜版的位置是一個(gè)獨(dú)立的過程，確定半導(dǎo)體襯底的位置又是另一個(gè)獨(dú)立的過程?，F(xiàn)有技術(shù)采用方法中的對(duì)位原理是，在曝光臺(tái)上有一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，可以把它看作是定位用坐標(biāo)系的原點(diǎn)，所有其它的位置都相對(duì)該點(diǎn)來確定的。分別將掩膜版和半導(dǎo)體襯底與該對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記對(duì)準(zhǔn)就可確定它們的位置。在確定了兩者的位置后，掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到半導(dǎo)體襯底上就是對(duì)準(zhǔn)的。換句話說，通過曝光裝置上的對(duì)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)測(cè)量和確定掩模上的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記和半導(dǎo)體襯底表面上的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記之間的位置關(guān)系，以便對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記相互匹配以達(dá)到對(duì)準(zhǔn)。
[0003]但是，上述方法中主要利用雙面光刻，實(shí)現(xiàn)的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記相互匹配以達(dá)到對(duì)準(zhǔn)，其對(duì)準(zhǔn)精度不是很高，造成集成電路中的不同電路元件將不能在半導(dǎo)體襯底表面上的特定位置處形成；同時(shí)，在雙面光刻時(shí)還會(huì)造成半導(dǎo)體襯底的機(jī)械損傷，降低了成品良率。為了實(shí)現(xiàn)高精度的對(duì)準(zhǔn)度，提高成品良率，本領(lǐng)域技術(shù)人員一直在尋找滿足這一需求的解決方法。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的在于提供一種對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的形成方法，以解決使用現(xiàn)有技術(shù)中的對(duì)位過程中，由于采用雙面光刻，引入對(duì)準(zhǔn)偏差及機(jī)械損傷，從而導(dǎo)致產(chǎn)品良率低的問題。
[0005]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的形成方法，所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的形成方法包括:
[0006]提供已拋光處理的第一半導(dǎo)體襯底和第二半導(dǎo)體襯底；
[0007]在所述第一半導(dǎo)體襯底上形成圖形及基準(zhǔn)標(biāo)記；
[0008]將所述第二半導(dǎo)體襯底與所述第一半導(dǎo)體襯底鍵合；
[0009]在所述第二半導(dǎo)體襯底的上形成開口，所述開口暴露出所述第一半導(dǎo)體襯底上的所述基準(zhǔn)標(biāo)記。
[0010]可選的，在所述的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的形成方法中，所述第一半導(dǎo)體襯底上的圖形及基準(zhǔn)標(biāo)記由光刻工藝及刻蝕工藝形成。
[0011]可選的，在所述的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的形成方法中，所述第二半導(dǎo)體襯底的上形成的開口由刻蝕工藝形成。
[0012]可選的，在所述的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的形成方法中，所述刻蝕工藝采用的刻蝕方法為濕法刻蝕。
[0013]可選的，在所述的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的形成方法中，所述刻蝕工藝采用的刻蝕方法為等離子刻蝕。
[0014]可選的，在所述的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的形成方法中，所述第一半導(dǎo)體襯底為單晶硅。
[0015]可選的，在所述的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的形成方法中，所述第二半導(dǎo)體襯底為單晶硅。
[0016]可選的，在所述的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的形成方法中，所述基準(zhǔn)標(biāo)記的數(shù)量為大于等于兩個(gè)。
[0017]在本發(fā)明所提供的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的形成方法中，通過在所述第二半導(dǎo)體襯底的上形成開口，使得所述第一半導(dǎo)體襯底上的基準(zhǔn)標(biāo)記暴露出來，節(jié)省了現(xiàn)有的對(duì)位過程中需要采用雙面光刻，引入對(duì)準(zhǔn)偏差及機(jī)械損傷，導(dǎo)致產(chǎn)品良率低的問題，提高了對(duì)位的精準(zhǔn)度及產(chǎn)品良率。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0018]圖1A-1C是本發(fā)明一實(shí)施例中對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的形成方法中各個(gè)步驟的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0019]圖2是本發(fā)明一實(shí)施例中對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的形成方法中各個(gè)步驟的流程圖。
[0020]在圖1A-1C 中，
[0021]第一半導(dǎo)體襯底-10 ;第二半導(dǎo)體襯底-20 ;圖形-11 ;基準(zhǔn)標(biāo)記-12 ;開口 21?！揪唧w實(shí)施方式】
[0022]以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明提出的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的形成方法作進(jìn)一步詳細(xì)說明。根據(jù)下面說明和權(quán)利要求書，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡(jiǎn)化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本發(fā)明實(shí)施例的目的。
[0023]請(qǐng)參考圖2，其為本發(fā)明一實(shí)施例中對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的形成方法中各個(gè)步驟的流程圖。下面參考圖2及圖1A-1C詳細(xì)說明本實(shí)施例所述的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的形成方法。
[0024]首先，執(zhí)行步驟S10，提供已拋光處理的第一半導(dǎo)體襯底10和第二半導(dǎo)體襯底20。
[0025]進(jìn)一步地，請(qǐng)參考圖1A，所述第一半導(dǎo)體襯底10及所述第二半導(dǎo)體襯底20均為單晶娃。
[0026]接著，執(zhí)行步驟S20，在所述第一半導(dǎo)體襯底10上形成基準(zhǔn)標(biāo)記12。
[0027]具體的，在所述第一半導(dǎo)體襯底10上還形成有圖形11，以便構(gòu)成集成電路中不同電路元件打下基礎(chǔ)。所述第一半導(dǎo)體襯底10上形成所述圖形11的同時(shí)形成了基準(zhǔn)標(biāo)記12。
[0028]進(jìn)一步地，所述基準(zhǔn)標(biāo)記的數(shù)量為大于等于兩個(gè)。
[0029]進(jìn)一步地，請(qǐng)參考圖1B，所述第一半導(dǎo)體襯底10上的基準(zhǔn)標(biāo)記12由光刻工藝及刻蝕工藝形成。優(yōu)選的，所述刻蝕工藝采用的刻蝕方法為濕法刻蝕或者等離子刻蝕。
[0030]接著，執(zhí)行步驟S30，將所述第二半導(dǎo)體襯底20與所述第一半導(dǎo)體襯底10鍵合。
[0031]接著，執(zhí)行步驟S40，在所述第二半導(dǎo)體襯底20的上形成開口 21，所述開口 21暴露出所述第一半導(dǎo)體襯底10上的所述基準(zhǔn)標(biāo)記12。
[0032]優(yōu)選的，請(qǐng)參考圖1C，在所述第二半導(dǎo)體襯底20的上形成的開口 21由刻蝕工藝形成。
[0033]具體的，請(qǐng)繼續(xù)參考圖1A-1C將已拋光處理的第一半導(dǎo)體襯底10放置于光刻機(jī)的承片臺(tái)上；使位于光刻機(jī)承片臺(tái)下部的CCD (電荷耦合器件)攝像機(jī)從下向上尋找到所述第一半導(dǎo)體襯底10上的基準(zhǔn)標(biāo)記，并記錄在顯示器上；將所述第二半導(dǎo)體襯底20與所述第一半導(dǎo)體襯底10鍵合，CCD攝像機(jī)焦距自動(dòng)聚焦在所述第二半導(dǎo)體襯底20的非鍵合面上，依據(jù)光刻機(jī)的顯示器上所記錄的所述第一半導(dǎo)體襯底10上基準(zhǔn)標(biāo)記的位置，經(jīng)過調(diào)整CCD攝像機(jī)的X方向、Y方向和角度Θ這三個(gè)旋鈕，在所述第二半導(dǎo)體襯底20的非鍵合面上進(jìn)行刻蝕工藝形成開口 21，從而暴露出所述第一半導(dǎo)體襯底10上的所述基準(zhǔn)標(biāo)記。整個(gè)過程節(jié)省了現(xiàn)有的對(duì)位過程中需要采用雙面光刻的工序，引入對(duì)準(zhǔn)偏差及機(jī)械損傷，導(dǎo)致產(chǎn)品良率低的問題，提高了對(duì)位的精準(zhǔn)度及產(chǎn)品良率。
[0034]綜上，在本發(fā)明所提供的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的形成方法中，通過在所述第二半導(dǎo)體襯底的上形成開口，使得所述第一半導(dǎo)體襯底上的基準(zhǔn)標(biāo)記暴露出來，節(jié)省了現(xiàn)有的對(duì)位過程中需要采用雙面光刻，引入對(duì)準(zhǔn)偏差及機(jī)械損傷，導(dǎo)致產(chǎn)品良率低的問題，提高了對(duì)位的精準(zhǔn)度及產(chǎn)品良率。
[0035]上述描述僅是對(duì)本發(fā)明較佳實(shí)施例的描述，并非對(duì)本發(fā)明范圍的任何限定，本發(fā)明領(lǐng)域的普通技術(shù)人員根據(jù)上述揭示內(nèi)容做的任何變更、修飾，均屬于權(quán)利要求書的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的形成方法，其特征在于，包括: 提供已拋光處理的第一半導(dǎo)體襯底和第二半導(dǎo)體襯底； 在所述第一半導(dǎo)體襯底上形成圖形及基準(zhǔn)標(biāo)記； 將所述第二半導(dǎo)體襯底與所述第一半導(dǎo)體襯底鍵合； 在所述第二半導(dǎo)體襯底的上形成開口，所述開口暴露出所述第一半導(dǎo)體襯底上的所述基準(zhǔn)標(biāo)記。
2.如權(quán)利要求1所述的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的形成方法，其特征在于，所述第一半導(dǎo)體襯底上的圖形及基準(zhǔn)標(biāo)記由光刻工藝及刻蝕工藝形成。
3.如權(quán)利要求1所述的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的形成方法，其特征在于，所述第二半導(dǎo)體襯底的上形成的開口由刻蝕工藝形成。
4.如權(quán)利要求2或者3所述的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的形成方法，其特征在于，所述刻蝕工藝采用的刻蝕方法為濕法刻蝕。
5.如權(quán)利要求2或者3所述的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的形成方法，其特征在于，所述刻蝕工藝采用的刻蝕方法為等離子刻蝕。
6.如權(quán)利要求1所述的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的形成方法，其特征在于，所述第一半導(dǎo)體襯底為單晶娃。
7.如權(quán)利要求2所述的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的形成方法，其特征在于，所述第二半導(dǎo)體襯底為單晶娃。
8.如權(quán)利要求2所述的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的形成方法，其特征在于，所述基準(zhǔn)標(biāo)記的數(shù)量為大于等于兩個(gè)。
【文檔編號(hào)】H01L23/544GK103943464SQ201410184978
【公開日】2014年7月23日 申請(qǐng)日期:2014年5月4日 優(yōu)先權(quán)日:2014年5月4日
【發(fā)明者】徐元俊 申請(qǐng)人:上海先進(jìn)半導(dǎo)體制造股份有限公司