技術(shù)編號：7047731
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明提供，屬于半導(dǎo)體材料生長。該方法在基礎(chǔ)層上制備漸變層；在漸變層上制備蓋層；所述的基礎(chǔ)層為氧極性表面的MgxZn1-xO(0.6≥x≥0.2)材料，基礎(chǔ)層的厚度不小于5nm；漸變層具有組分漸變的結(jié)構(gòu)，其結(jié)構(gòu)自下而上為MgxZn1-xO/Mgx-δZn1-(x-δ)O/Mgx-2δZn1-(x-2δ)O/…/Mgx-(n-1)δZn1-[x-(n-1)δ]O/Mgx-nδZn1-(x-nδ)O(δ→0，n為自然數(shù)；nδ＝x；)，漸變層厚度不大于1μm；蓋...
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