技術編號：7047444
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明提供了一種導電膜，包括基底；以及位于所述基底上的銦錫氧化物透明導電層，所述銦錫氧化物透明導電層至少包括第一銦錫氧化物層和第二銦錫氧化物層，所述第一銦錫氧化物層位于所述基底和所述第二銦錫氧化物層之間，其中，所述第一銦錫氧化物層中二氧化錫的含量與所述第二銦錫氧化物層中二氧化錫的含量不相等。本發(fā)明還提供了一種導電膜的制備方法。本發(fā)明所提供的導電膜，具有較低的電阻率，較高的透過率。專利說明[0001]本發(fā)明涉及一種導電膜，具體為一種結晶型低阻抗ITO透明導電...
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