技術(shù)編號(hào)：7046074
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明揭示了一種NOR閃存的制造方法。該方法包括提供半導(dǎo)體襯底；在所述半導(dǎo)體襯底上依次沉積隧道氧化層和浮柵；刻蝕所述浮柵、隧道氧化層及半導(dǎo)體襯底形成淺溝槽；在所述淺溝槽中形成襯墊氧化層，并由襯墊氧化層產(chǎn)生鳥嘴效應(yīng)，使得隧道氧化層邊緣的厚度大于等于中間的厚度，從而提高了NOR閃存的可靠性。專利說明NOR閃存的制造方法[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體，特別是涉及一種改善隧道氧化層均勻性的NOR閃存的制造方法。背景技術(shù)[0002]隨著便攜式電子設(shè)備的高速發(fā)展，對(duì)數(shù)據(jù)...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。