技術編號：7045475
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明為一種CMOS納米線晶體管結構及制備方法，該結構包括一半導體襯底，其上設有第一柵極和第二柵極；第一柵極中嵌入設置有至少一PMOS溝道，所述第二柵極中嵌入設置有至少一NMOS溝道；PMOS溝道與所述第一柵極之間，以及NMOS溝道與第二柵極之間均設置有第一絕緣層；第一柵極與半導體襯底之間，以及第二柵極與半導體襯底之間均設置有第二絕緣層；PMOS溝道與NMOS溝道呈交錯分布；第一柵極為PMOS晶體管，第二柵極為NMOS晶體管。本發(fā)明提出的一種CMOS納米線...
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