技術(shù)編號(hào)：7044763
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明提供了制造III-N襯底的方法。方法包括把Si襯底接合到支撐襯底，Si襯底具有背向支撐襯底的（111）生長(zhǎng)表面；在（111）生長(zhǎng)表面把Si襯底減薄到100μm或更小的厚度；以及在Si襯底被減薄之后在Si襯底的（111）生長(zhǎng)表面上形成III-N材料。支撐襯底具有比Si襯底更接近地匹配III-N材料的熱膨脹系數(shù)的熱膨脹系數(shù)。公開(kāi)了制造III-N襯底的其它方法以及對(duì)應(yīng)的晶片結(jié)構(gòu)。專(zhuān)利說(shuō)明厚I I 1-N外延的方法和襯底 [0001]本申請(qǐng)涉及II1-...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。